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龙图腾网获悉华东师范大学申请的专利基于钼掺杂二氧化钒相变薄膜材料的忆阻器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119562756B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411751725.4，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权基于钼掺杂二氧化钒相变薄膜材料的忆阻器及其制备方法是由胡志高;王林;商丽燕;李亚巍;朱亮清;褚君浩设计研发完成，并于2024-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于钼掺杂二氧化钒相变薄膜材料的忆阻器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于钼掺杂二氧化钒相变薄膜材料的忆阻器及其制备方法，通过共溅射在Si基衬底上制备非晶态钼掺杂二氧化钒相变薄膜材料，并在400～450℃的高纯氩气氛围中退火30～60分钟，获得高质量的MoxV1‑xO2薄膜。本发明还提供了一种基于钼掺杂二氧化钒相变薄膜的忆阻器的制备方法，结构包括衬底层、功能层和顶电极层。所制备的钼掺杂二氧化钒薄膜表现出优异的热稳定性、较宽的热滞回区间和较低的相变温度。通过将MoxV1‑xO2材料作为忆阻器的功能层，器件具有小尺寸、低开启电压和高室温稳定性等优点。

本发明授权基于钼掺杂二氧化钒相变薄膜材料的忆阻器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种钼掺杂二氧化钒相变薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下具体步骤： 步骤1：Si基衬底材料的预处理；包括清洗和吹干，清洗时分别用乙醇、丙酮和离子水进行5～15分钟的超声清洗，最后用高纯氮气吹干； 步骤2：磁控溅射准备：采用纯度为99.99%的金属V靶和Mo靶，分别安装于直流溅射靶上，将Si基衬底材料固定于样品托盘上，并将高真空磁控溅射系统的腔室抽真空，使用高纯氩气和氧气作为溅射气体；其中，磁控溅射腔室抽真空至≤5×10-5Pa，高纯氩气的体积百分比≥99.999％，高纯氧气的体积的占比≤1%； 步骤3：磁控溅射MoxV1-xO2薄膜材料： 步骤3.1：打开金属V靶和Mo靶挡板，通入高纯氩气和氧气；开启直流电源，预溅射1～5min； 步骤3.2：使用共溅射沉积方法，设置V靶和Mo靶的溅射功率；打开样品挡板进行溅射；溅射完成后，关闭样品挡板、直流电源和靶材挡板，得到非晶态的MoxV1-xO2相变薄膜，其中，0＜x＜1； 步骤4：MoxV1-xO2薄膜热处理：将非晶态薄膜放入管式炉中进行退火；制得所述钼掺杂二氧化钒相变薄膜材料MoxV1-xO2；其厚度为90～180nm；粗糙度＜5nm；其中，所述热处理全程在高纯氩气的氛围下进行；氩气流量60～100sccm，温度为400～450℃，保温30～60min，冷却至室温；其中： 步骤4所述热处理，在热处理前清洗管路防止样品氧化；先将管式炉抽真空，再通过大量氩气置换，重复2～3次；热处理的升温速率为5～10℃min，冷却过程随炉冷却至室温。

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