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龙图腾网获悉上海贝岭股份有限公司申请的专利沟槽栅碳化硅MOSFET器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486225B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411624789.8，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权沟槽栅碳化硅MOSFET器件及其制造方法是由钟圣荣;吴一帆;曹荣荣;薛璐洁;吴城城设计研发完成，并于2024-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本沟槽栅碳化硅MOSFET器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种沟槽栅碳化硅MOSFET器件及其制造方法，涉及功率半导体器件技术领域。器件有衬底，其上有外延层，下设漏极。栅沟槽在外延层上方，两侧为多级栅沟槽集成区，层间介质和源极在其上。栅沟槽内有多晶硅和栅介质，多级栅沟槽集成区包括连接区、多级栅沟槽和电流扩展层，底部有屏蔽层，内设多晶硅和栅介质。源极通过连接区与漏极连接，并通过层间介质与多级栅沟槽隔离，屏蔽层为第二导电类型，其余为第一导电类型。本发明中器件在阻断时，通过施加零或负栅压降低栅介质处电场，导通时施加正栅压抑制JFET效应，提升导通能力减少损耗。雪崩时，多级沟槽结构下移击穿点，延长传热路径，延缓金属熔化，增强雪崩鲁棒性。

本发明授权沟槽栅碳化硅MOSFET器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽栅碳化硅MOSFET器件，其特征在于，所述沟槽栅碳化硅MOSFET器件包括：衬底、外延层、漏极、栅沟槽、多级栅沟槽集成区、层间介质以及源极； 所述衬底上方设有所述外延层，所述衬底的下方设有所述漏极，且所述漏极与所述衬底欧姆接触；所述外延层的上方设置有所述栅沟槽，所述栅沟槽的两侧分别设有一所述多级栅沟槽集成区；所述层间介质与所述源极均设置在所述栅沟槽和所述多级栅沟槽集成区的上方； 所述栅沟槽包括第一多晶硅和包围在所述第一多晶硅周侧的第一栅介质，所述第一栅介质的底部嵌入所述外延层中； 每个所述多级栅沟槽集成区由中心向两侧依次设有连接区和多级栅沟槽，所述栅沟槽和所述多级栅沟槽之间设有电流扩展层，且所述连接区设置在所述电流扩展层上方；每个所述多级栅沟槽的底部都设有屏蔽层，所述屏蔽层用于降低所述第一栅介质的电场，所述连接区用于连接所述漏极和所述源极； 每个所述多级栅沟槽内设有第二多晶硅和围设在所述第二多晶硅外侧的第二栅介质； 所述源极分别与两个所述连接区形成欧姆接触，且所述源极与两个所述多级栅沟槽通过所述层间介质隔开； 所述衬底、所述外延层、所述电流扩展层均为第一导电类型半导体； 所述屏蔽层为第二导电类型半导体； 所述连接区包括第一接触区、第二接触区和阱区；所述第一接触区设置在所述阱区的上方，所述第二接触区设置在所述阱区和所述第一接触区的同侧且与所述第二栅介质接触；所述阱区的底部和所述第二接触区的底部均与所述电流扩展层接触；所述第一接触区为第一导电类型半导体，所述阱区和所述第二接触区均为第二导电类型半导体。

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