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龙图腾网获悉安徽光智科技有限公司申请的专利ZnSe基底2-5.5μm高透薄膜的设计方法以及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119471868B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411530072.7，技术领域涉及：G02B1/115；该发明授权ZnSe基底2-5.5μm高透薄膜的设计方法以及制备方法是由杨双喜;戴亚洲;尹士平;刘克武;平凡;张海燕;毛文川;尉新星设计研发完成，并于2024-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本ZnSe基底2-5.5μm高透薄膜的设计方法以及制备方法在说明书摘要公布了：提供一种ZnSe基底2‑5.5μm高透薄膜的设计方法以及制备方法。ZnSe基底2‑5.5μm高透薄膜的设计方法包括步骤：Sa，膜系设计以550nm作为光学薄膜设计的参考波长，使用膜堆公式：Sub0.6LHL^2MKAIR，Sub两面镀一样的膜系，其中，Sub是ZnSe基底，AIR代表空气，在膜堆表达式中：H代表14波长厚度的高折射率材料ZnSe硒化锌，L代表14波长厚度的低折射率材料YbF33氟化镱，K代表14波长厚度的保护层材料Al22O33氧化铝，M代表14波长厚度的连接层材料Y22O33氧化钇；Sb，通过输入的膜堆公式，生成以SubYbF33ZnSeYbF33ZnSeYbF33Y22O33Al22O33Air的膜层结构；Sc，通过薄膜设计软件对膜层厚度进行优化，得到最佳的膜层厚度，优化后的膜层结构在2‑5.5μm波段的透过率达到目标；Sd，将优化后的最佳的膜层厚度输入至镀膜机的控制电脑中。

本发明授权ZnSe基底2-5.5μm高透薄膜的设计方法以及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种ZnSe基底2-5.5μm高透薄膜的设计方法，其特征在于，包括步骤： Sa，膜系设计以550nm作为光学薄膜设计的参考波长，使用膜堆公式：Sub0.6LHL^2MKAIR，Sub两面镀一样的膜系，其中，Sub是ZnSe基底，AIR代表空气，在膜堆表达式中： H代表14波长厚度的高折射率材料ZnSe硒化锌 L代表14波长厚度的低折射率材料YbF3氟化镱， K代表14波长厚度的保护层材料Al2O3氧化铝， M代表14波长厚度的连接层材料Y2O3氧化钇， Sb，通过输入的膜堆公式，生成以SubYbF3ZnSeYbF3ZnSeYbF3Y2O3Al2O3Air的膜层结构； Sc，通过薄膜设计软件对膜层厚度进行优化，得到最佳的膜层厚度，优化后的膜层结构在2-5.5μm波段的透过率达到目标； Sd，将优化后的最佳的膜层厚度输入至镀膜机的控制电脑中； 在步骤Sc中，针对镜片的两面中的每一面，最佳的膜层厚度以膜层结构表示为： SubYbF338.73ZnSe214.84YbF3150.86ZnSe108.41YbF3520.68Y2O315Al2O330Air，括号中的数字为膜层厚度，膜层厚度的单位为nm； 在步骤Sc中，优化后的ZnSe基底2-5.5μm波段的透过率平均值大于98％。

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