京东方科技集团股份有限公司苌川川获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司申请的专利一种显示面板的制作方法、显示面板以及显示装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119297102B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411412186.1,技术领域涉及:H10P74/00;该发明授权一种显示面板的制作方法、显示面板以及显示装置是由苌川川;冯京;张鑫;郭旭;刘星瑶设计研发完成,并于2024-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种显示面板的制作方法、显示面板以及显示装置在说明书摘要公布了:本发明公开一种显示面板的制作方法、显示面板以及显示装置,所述显示面板包括在基板上形成的多个图案化膜层,所述方法包括:以基板的坐标信息为参考坐标系,在基板上形成第一层图案化膜层;在第一层图案化膜层远离基板一侧形成第N层图案化膜层N≥2的材料层;对第N层图案化膜层进行第一测试曝光工艺,得到第一标识和所述第一标识的第一坐标信息;对第N层图案化膜层进行第二测试曝光工艺,得到第二标识和第二标识的第二坐标信息;利用第一坐标信息和第二坐标信息以得到第N‑1层图案化膜层和第N层图案化膜层之间的相邻膜层偏差;利用相邻膜层偏差对第N层图案化膜层的材料层进行材料曝光工艺和刻蚀工艺,以形成第N层图案化膜层。
本发明授权一种显示面板的制作方法、显示面板以及显示装置在权利要求书中公布了:1.一种显示面板的制作方法,所述显示面板包括在基板上形成的多个图案化膜层,其特征在于,所述方法包括: 以基板的坐标信息为参考坐标系,在基板上形成第一层图案化膜层; 在所述第一层图案化膜层远离所述基板一侧形成第N层图案化膜层N≥2的材料层; 对第N层图案化膜层进行第一测试曝光工艺,得到第一标识和所述第一标识的第一坐标信息; 对第N层图案化膜层进行第二测试曝光工艺,得到第二标识和所述第二标识的第二坐标信息; 利用第一坐标信息和第二坐标信息以得到第N-1层图案化膜层和第N层图案化膜层之间的相邻膜层偏差; 利用所述相邻膜层偏差对第N层图案化膜层的材料层进行材料曝光工艺和刻蚀工艺,以形成第N层图案化膜层; 所述对第N层图案化膜层进行第一测试曝光工艺之前,所述方法还包括在第N层图案化膜层N≥2的材料层上形成第N层测试牺牲层; 所述对第N层图案化膜层进行第一测试曝光工艺,进一步包括: 以第N-2层图案化膜层的坐标信息对第N层测试牺牲层进行第一测试曝光工艺以形成第一标识,并以第N-2层图案化膜层的坐标信息为参考坐标系,得到第一标识的第一坐标信息, 其中,当N=2时,以基板的坐标信息对第二层测试牺牲层进行第一测试曝光工艺以形成第一标识,并以基板的坐标信息为参考坐标系,得到第一标识的第一坐标信息; 对第N层图案化膜层进行第二测试曝光工艺进一步包括: 以第N-1层图案化膜层的坐标信息对第N层测试牺牲层进行第二测试曝光工艺以形成第二标识,并以第N-1层的坐标信息为参考坐标系,得到第二标识的第二坐标信息。
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