中国人民解放军军事科学院国防科技创新研究院井致远获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中国人民解放军军事科学院国防科技创新研究院申请的专利一种多主元合金薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119287315B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411213414.2，技术领域涉及：C23C14/16；该发明授权一种多主元合金薄膜及其制备方法是由井致远;张志彬;梁秀兵;胡振峰;吴蒙恩;孙川;何鹏飞;邢悦;王晓晶设计研发完成，并于2024-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多主元合金薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种多主元合金薄膜及其制备方法。该多主元合金薄膜为Ta、Hf、W等原子或非等原子比组成，所述多主元合金薄膜的化学式为TaaaHfbbWcc；其中，a为30%~50%，b为15%~35%，c为30%~45%，且a+b+c=1。本发明提供的多主元合金薄膜，能够通过多靶直流磁控溅射薄膜沉积的方法得到，该Ta‑Hf‑W多主元合金薄膜成分可控且均匀、致密性好、表面粗糙度小、硬度和弹性模量高。
本发明授权一种多主元合金薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多主元合金薄膜，其特征在于，所述多主元合金薄膜为Ta、Hf、W等原子或非等原子比组成，所述多主元合金薄膜的化学式为TaaHfbWc；其中，a为30%~50%，b为15%~35%，c为30%~45%，且a+b+c=1，所述多主元合金薄膜具有单相体心立方晶体结构，表面粗糙度为5.40~8.34nm，薄膜的硬度为16.6~19.4GPa，弹性模量为278.1~328.5GPa；所述多主元合金薄膜由以下方法制备，包括将Ta靶材、Hf靶材和W靶材以设定的溅射功率进行磁控溅射薄膜沉积，得到多主元合金薄膜；所述Ta靶材的溅射功率为100~150W，Hf靶材的溅射功率为50~100W，W靶材的溅射功率为100~150W。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国人民解放军军事科学院国防科技创新研究院，其通讯地址为：100071 北京市丰台区东大街53号院；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励