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龙图腾网获悉无锡众星微系统技术有限公司申请的专利一种芯片内memory修复系统及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119091949B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411112251.9，技术领域涉及：G11C29/44；该发明授权一种芯片内memory修复系统及方法是由张辅云;刁永翔;李兵;罗玮设计研发完成，并于2024-08-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种芯片内memory修复系统及方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种芯片内memory修复系统及方法，包括芯片内BIST逻辑及BIST控制器、芯片内BISR逻辑及BISR控制器、芯片内TAP控制器和芯片内存储恢复控制器，进一步包括外部非易失性存储介质，外部非易失性存储介质与芯片内存储恢复控制器具有访问接口C17，访问接口C17用于将所述芯片内存储恢复控制器存储的memory修复信息记录到外部非易失性存储介质或将外部非易失性存储介质中的memory修复信息加载到芯片内存储恢复控制器中。本申请的技术方案从系统上保证memory的修复可以在板级进行，节省ATE上的测试和修复memory的efuse烧录时间以及节省芯片内的efuse资源等问题。

本发明授权一种芯片内memory修复系统及方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片内memory修复系统，包括芯片内TAP控制器、芯片内BIST逻辑、芯片内BISR逻辑及BISR控制器、芯片内存储恢复控制器，其特征在于， 包括外部非易失性存储介质，所述外部非易失性存储介质与所述芯片内存储恢复控制器具有访问接口C17，所述访问接口C17用于将所述芯片内存储恢复控制器存储的memory修复信息记录到所述外部非易失性存储介质或将所述外部非易失性存储介质中的memory修复信息加载到所述芯片内存储恢复控制器中； 所述BISR控制器通过BISR配置接口C21与单个BISR逻辑连接，所述单个BISR逻辑通过访问总线C9.1、C9.2……C9.m与所述芯片内不同ROM实体C11.1、C11.2……C11.m连接，通过访问总线C10.1、C10.2……C10.n与所述芯片内不同RAM实体C12.1、C12.2……C12.n连接； 所述BIST逻辑与单个BISR逻辑之间具有一个第二MUX，所述一个第二MUX通过memory测试访问接口C5.0与所述BIST逻辑连接，所述第二MUX通过memory的访问接口C7与单个BISR逻辑连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人无锡众星微系统技术有限公司，其通讯地址为：214000 江苏省无锡市新吴区菱湖大道111号软件园天鹅座C座6层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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