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龙图腾网获悉北京工业大学申请的专利一种提高钒氧化物低温催化生长石墨烯质量的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119061373B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411188598.1，技术领域涉及：C23C16/26；该发明授权一种提高钒氧化物低温催化生长石墨烯质量的方法是由赵宇辰;邓军;于雪彦设计研发完成，并于2024-08-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提高钒氧化物低温催化生长石墨烯质量的方法在说明书摘要公布了：一种提高钒氧化物低温催化生长石墨烯质量的方法，属于材料制备技术和半导体光电集成领域。催化层良好的表面形貌与晶格结构对高质量石墨烯的生长至关重要，利用V靶通过溅射‑氧化制备的V22O55薄膜成膜均匀连续，表面粗糙度较小，较直接溅射的V22O55薄膜在001晶面方向具有明显的择优取向，提升了V22O55薄膜的单晶化程度。将氧化法制备的V22O55薄膜样片放入PECVD中生长石墨烯，在结束生长后通入大流量的H22，H离子对石墨烯生长缺陷和杂质的刻蚀，实现对石墨烯质量的进一步提升。通过这两种途径，有效提高了石墨烯的质量，且生长温度可以降低至300℃。

本发明授权一种提高钒氧化物低温催化生长石墨烯质量的方法在权利要求书中公布了：1.一种提高钒氧化物低温催化生长石墨烯质量的方法，其特征在于，利用V氧化成的V2O5薄膜作为石墨烯催化层，以及在生长完石墨烯后，通入大流量H2，利用H离子对石墨烯生长缺陷和杂质的刻蚀，实现对石墨烯质量的进一步提升，最终可得到均匀的大面积石墨烯薄膜； 主要工艺步骤包括如下： 1清洗SiSiO2衬底片，去除表面吸附的灰尘和油脂； 2用掩膜版对基片进行光刻和显影，露出预期图案； 3用磁控溅射设备沉积金属V； 4剥离，得到图形化的溅射金属薄层； 5置入快速退火炉，通入O2，以300℃min-1升温至400℃，保持10-20min，然后再以300℃min-1降温至100℃以下，将其取出，此时表面为V2O5薄膜； 6再将其放置于立式冷壁PECVD中，生长石墨烯；以200℃min-1的升温速率加热到300℃，压强10mbar，通入气体Ar：H2和CH4，其中Ar：H2：CH4的流量比＝960：20：5，H2流量为20sccm；同时点燃等离子体，生长5min，然后关闭CH4，将H2流量升高到200sccm，在此大H2流量下保持12min，再关闭等离子体，然后以300℃min-1的降温速率冷却至100℃，关闭H2，关闭Ar； 7生长结束后，待机器冷却至100℃以下打开腔室，取出样片，得到具有图形化的石墨烯。

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