京东方华灿光电(苏州)有限公司杭伟获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方华灿光电(苏州)有限公司申请的专利改善发光效率的反极性发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118969935B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410813177.7，技术领域涉及：H10H20/84；该发明授权改善发光效率的反极性发光二极管及其制备方法是由杭伟;石时曼;张美;王洪占设计研发完成，并于2024-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本改善发光效率的反极性发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种改善发光效率的反极性发光二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。该发光二极管包括外延层、多个导电凸起、介质层、第一透明导电层和金属反射层，多个导电凸起位于外延层的表面，导电凸起包括沿远离外延层的方向依次层叠的过渡层、欧姆接触层和第二透明导电层；介质层覆盖外延层的表面和多个导电凸起的侧壁；第一透明导电层位于介质层的远离外延层的一侧，且与导电凸起连接，第一透明导电层的远离外延层的表面为平面；金属反射层位于第一透明导电层的远离外延层的表面。本公开实施例能提高LED的发光效率。
本发明授权改善发光效率的反极性发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于，包括外延层10、多个导电凸起20、介质层30、第一透明导电层40和金属反射层50， 所述多个导电凸起20位于所述外延层10的表面，所述导电凸起20包括沿远离所述外延层10的方向依次层叠的过渡层21、欧姆接触层22和第二透明导电层23； 所述介质层30覆盖所述外延层10的表面和所述多个导电凸起20的侧壁；所述介质层30还覆盖所述多个导电凸起20的远离所述外延层10的表面且具有露出所述导电凸起20的多个通孔31； 所述第一透明导电层40位于所述介质层30的远离所述外延层10的一侧，且与所述导电凸起20连接，所述第一透明导电层40的远离所述外延层10的表面为平面；所述第一透明导电层40位于所述介质层30的远离所述外延层10的表面且填充于覆盖所述多个导电凸起20的侧壁的所述介质层30之间，所述第一透明导电层40通过所述通孔31与所述导电凸起20连接； 所述金属反射层50位于所述第一透明导电层40的远离所述外延层10的表面。
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