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龙图腾网获悉上海大学申请的专利一种GaN基迟滞比较电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118449497B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410526994.4，技术领域涉及：H03K5/24；该发明授权一种GaN基迟滞比较电路是由张岩;任开琳;张建华设计研发完成，并于2024-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种GaN基迟滞比较电路在说明书摘要公布了：本发明公开一种GaN基迟滞比较电路，涉及半导体电路领域；该电路包括：相互连接的比较器电路、反馈电路和电流镜电路；比较器电路包括：第一N型GaN器件、第二N型GaN器件、第三N型GaN器件、第四N型GaN器件和第五N型GaN器件；反馈电路包括：第六N型GaN器件、第七N型GaN器件和第八N型GaN器件；使用N型GaN基有源器件取代了电阻型无源器件组成反馈电路，并将输出信号反馈至第七N型GaN器件的栅极，提高电路增益，降低信号的转换时间。

本发明授权一种GaN基迟滞比较电路在权利要求书中公布了：1.一种GaN基迟滞比较电路，其特征在于，包括：相互连接的比较器电路、反馈电路和电流镜电路； 所述比较器电路包括：第一N型GaN器件、第二N型GaN器件、第三N型GaN器件、第四N型GaN器件和第五N型GaN器件； 所述反馈电路包括：第六N型GaN器件、第七N型GaN器件和第八N型GaN器件； 所述电流镜电路的一端分别与第六N型GaN器件的漏极、第七N型GaN器件的漏极、第一N型GaN器件的漏极和第二N型GaN器件的漏极连接； 所述电流镜电路的另一端分别与第八N型GaN器件的栅极和第五N型GaN器件的栅极连接； 第六N型GaN器件的栅极作为信号同相输入端；第六N型GaN器件的源极分别与第七N型GaN器件的源极、第八N型GaN器件的漏极和第三N型GaN器件的栅极连接； 第一N型GaN器件的源极与第三N型GaN器件的漏极连接； 第三N型GaN器件的源极分别与第四N型GaN器件的源极和第五N型GaN器件的漏极连接； 第二N型GaN器件的源极和第四N型GaN器件的漏极连接； 第四N型GaN器件的栅极作为反相输入端；第七N型GaN器件的栅极与第一N型GaN器件的栅极连接； 还包括：接地电压端； 所述接地电压端分别与所述电流镜电路、第八N型GaN器件的源极和第五N型GaN器件的源极连接； 所述电流镜电路包括：偏置电流源和第九N型GaN器件； 所述偏置电流源的一端分别与第六N型GaN器件的漏极、第七N型GaN器件的漏极、第一N型GaN器件的漏极和第二N型GaN器件的漏极连接； 所述偏置电流源的另一端分别与第九N型GaN器件的漏极和第九N型GaN器件的栅极连接； 第九N型GaN器件的源极与接地电压端连接；第九N型GaN器件的栅极与第八N型GaN器件的栅极连接。

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