成都信息工程大学张星获国家专利权
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龙图腾网获悉成都信息工程大学申请的专利一种低介电高熵高Q值微波介质陶瓷材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118324527B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410420569.7，技术领域涉及：C04B35/50；该发明授权一种低介电高熵高Q值微波介质陶瓷材料及其制备方法是由张星;韩瑜轩;雷权翻;杨启航设计研发完成，并于2024-04-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低介电高熵高Q值微波介质陶瓷材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及电子信息功能材料技术领域，尤其涉及一种低介电高熵高Q值微波介质陶瓷材料及其制备方法，化学式为Y0.20.2B0.20.2C0.20.2D0.20.2E0.20.222BaZn1‑x1‑xMgxxO55，其中，B、C、D、E选自La系稀有元素中的一种，0＜x＜0.1，发明还提供一种低介电高熵高Q值微波介质陶瓷材料的制备方法，包括配料、球磨、烘干过筛、预烧、造粒、模压成型、长时煅烧并退火。本发明制得的材料具有高熵化的纯相正交晶体结构，微观形貌高度致密、无气孔和无微裂纹，具有高品质因数和小的谐振频率温度系数，介电常数在14~18之间，高Q×f值在30,000到70,000GHz之间，τf值在‑30~‑8ppm°C之间可调。配方中不含Pb，Cd等挥发性有毒金属，性能稳定，适用于高频化微波通信系统。
本发明授权一种低介电高熵高Q值微波介质陶瓷材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低介电高熵高Q值微波介质陶瓷材料，其特征在于，化学式为Y0.2B0.2C0.2D0.2E0.22BaZn1-xMgxO5，其中，B、C、D、E选自La系稀有元素中的一种，所述La系稀有元素包括Nd、Sm、Eu、Gd、Er、Tm与Yb，0＜x＜0.1。
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