华南理工大学应磊获国家专利权
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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种含苯或吡啶乙炔基三苯胺类的聚合物半导体材料及其交联形成的空穴传输材料和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117924671B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311863489.0，技术领域涉及：C08G61/12；该发明授权一种含苯或吡啶乙炔基三苯胺类的聚合物半导体材料及其交联形成的空穴传输材料和应用是由应磊;王翀;郭婷设计研发完成，并于2023-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种含苯或吡啶乙炔基三苯胺类的聚合物半导体材料及其交联形成的空穴传输材料和应用在说明书摘要公布了：本发明属于聚合物半导体材料领域，公开了一种含苯或吡啶乙炔基三苯胺类的聚合物半导体材料及其交联形成的空穴传输材料和应用。所述的聚合物半导体材料具有如下式I或式II所示结构，该聚合物半导体材料和可与含巯基的小分子发生“巯基‑炔”点击化学反应得到交联型聚合物空穴传输材料。聚合物半导体材料具有较为合适的HOMO能级，通过与含巯基的小分子交联剂发生“巯基‑炔”点击化学反应，能够实现较低的交联温度以及较高的空穴迁移率，在有机发光二极管、有机太阳能电池、有机场效应晶体管和钙钛矿太阳能电池等光电半导体材料领域中具有广阔的商业前景。
本发明授权一种含苯或吡啶乙炔基三苯胺类的聚合物半导体材料及其交联形成的空穴传输材料和应用在权利要求书中公布了：1.一种含苯或吡啶乙炔基三苯胺类的聚合物半导体材料，其特征在于具有如下式I或式II所示结构： 所述式I中： x和y、z为聚合物单体各单元的摩尔分数，其中0x≤0.4,0y≤0.4,x+y＝0.5，x+y+z＝1；n为聚合度，n为10-300的整数； R1为碳原子总数为1-5的直链烷基、碳原子总数为1-5的支链烷基中的一种； R2相对独立的为碳原子总数为6-16的直链烷基、碳原子总数为4-30的支链烷基中的一种； Ar1为以下所示结构中的一种； 所述式II中: x和y、z为聚合物单体各单元的摩尔分数，其中0≤x≤0.4,0y≤0.5,0x+y≤0.5，x+y+z＝1；n为重复单元，n为10-300的整数； Ar1为以下所示结构中的一种； Ar2为以下所示结构中的一种；
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