豪威科技股份有限公司秦晴获国家专利权
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龙图腾网获悉豪威科技股份有限公司申请的专利单个位线SRAM像素及其驱动方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117877434B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311312017.6，技术领域涉及：G09G3/36；该发明授权单个位线SRAM像素及其驱动方法是由秦晴;H·柳设计研发完成，并于2023-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本单个位线SRAM像素及其驱动方法在说明书摘要公布了：一种新颖的位存储电路包括第一电压供应线、第二电压供应线、位线、锁存器、第一开关晶体管和阻断晶体管。锁存器包括输入和输出。第一开关晶体管包含第一端子、第二端子及控制端子。第一开关晶体管可操作以响应于在第一开关晶体管的控制端子上被断言的第一控制信号而在位线和锁存器的输入之间提供导电路径和非导电路径。阻断晶体管包括控制端子，并且可操作以响应于第二控制信号在锁存器的输入和第二电压供应线之间选择性地提供导电路径和非导电路径。阻断晶体管便于使用单个位线。
本发明授权单个位线SRAM像素及其驱动方法在权利要求书中公布了：1.一种位存储电路，其包括： 第一电压供应线； 第二电压供应线； 位线； 锁存器，所述锁存器具有输入和输出； 第一开关晶体管，所述第一开关晶体管具有第一端子、第二端子和控制端子，所述第一开关晶体管可操作以响应于在所述第一开关晶体管的所述控制端子上断言的第一控制信号而在所述位线与所述锁存器的所述输入之间选择性地提供导电路径和非导电路径； 阻断晶体管，所述阻断晶体管包括控制端子且可操作以响应于第二控制信号而在所述锁存器的所述输入与所述第二电压供应线之间选择性地提供导电路径和非导电路径；以及 第二开关晶体管，所述第二开关晶体管具有第一端子、第二端子和控制端子，所述第二开关晶体管可操作以响应于在所述第二开关晶体管的所述控制端子上断言的第三控制信号而在所述位线与所述锁存器的所述输入之间选择性地提供导电路径和非导电路径；并且其中 所述第一开关晶体管和所述第二开关晶体管串联耦合在所述位线和所述锁存器的所述输入之间；并且 所述位存储电路连接到不超过一个位线。
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