苏州烯晶半导体科技有限公司韩杰获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州烯晶半导体科技有限公司申请的专利去除碳纳米管表面共轭聚合物材料的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117735533B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311743199.2，技术领域涉及：C01B32/17；该发明授权去除碳纳米管表面共轭聚合物材料的方法是由韩杰设计研发完成，并于2023-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本去除碳纳米管表面共轭聚合物材料的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种去除碳纳米管表面共轭聚合物材料的方法，属于纳米管表面分子去除技术领域，该方法包括：对表面具有共轭聚合物材料的碳纳米管在保护气氛下进行退火处理，使得制备碳纳米管过程中共轭聚合物材料的主链与碳纳米管之间形成的碳碳双键断裂，以去除部分共轭聚合物材料；采用溶剂对经过退火处理的碳纳米管进行旋转冲洗；对经过冲洗的碳纳米管在保护气氛下再次进行退火处理。本申请提供的方法，能够保证制备碳纳米管过程中共轭聚合物材料的主链与碳纳米管之间形成的碳碳双键断裂，从而达到去除碳纳米管表面的共轭聚合物材料效果；可去除干净碳纳米管表面有共轭聚合物材料，且在去除过程中不会破坏碳纳米管得形貌。
本发明授权去除碳纳米管表面共轭聚合物材料的方法在权利要求书中公布了：1.一种去除碳纳米管表面共轭聚合物材料的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： 步骤S1：对表面具有共轭聚合物材料的碳纳米管在保护气氛下进行退火处理，退火处理的温度为400-800度，使得制备碳纳米管过程中共轭聚合物材料的主链与碳纳米管之间形成的碳碳双键断裂，以去除部分共轭聚合物材料； 步骤S2：采用溶剂对经过退火处理的碳纳米管进行转速为200rpm-6000rpm的旋转冲洗； 步骤S3：对经过冲洗的碳纳米管在保护气氛下再次进行退火处理，退火温度为400-800度； 步骤S4：采用所述溶剂对经过再次退火处理的碳纳米管进行转速为200rpm-6000rpm的旋转冲洗； 步骤S5:重复以上步骤S3和S4，直至碳纳米管表面的所有共轭聚合物材料被去除。
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