西安电子科技大学廖栩锋获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利适用高精度低失调低噪声基准电压源的基极电流补偿电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117707276B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311789417.6，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权适用高精度低失调低噪声基准电压源的基极电流补偿电路是由廖栩锋;仵少飞;任涛;王格夫;刘帘曦设计研发完成，并于2023-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本适用高精度低失调低噪声基准电压源的基极电流补偿电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种适用于高精度低失调低噪声基准电压源的基极电流补偿电路，有效抑制了双极晶体管的厄利效应，提升了基极电流复制精度，并且，通过向带隙基准核心电路中注入精确的基极电流，避免了带隙基准核心电路中双极晶体管的正向电流增益β随外界条件变化而改变所引入的非线性，从而改善了基准电压源的温度系数和不同工艺角下基准输出电压的偏移。
本发明授权适用高精度低失调低噪声基准电压源的基极电流补偿电路在权利要求书中公布了：1.一种适用高精度低失调低噪声基准电压源的基极电流补偿电路，其特征在于，包括：偏置电流复制电路、电流镜电路和基极电流复制电路； 所述偏置电流复制电路，用于精准复制带隙基准核心电路中引起误差的关键晶体管的偏置电流； 所述电流镜电路，用于1：1地镜像所述偏置电流复制电路中双极晶体管的偏置电流； 所述基极电流复制电路，用于生成用于补偿的基极电流，并对生成的基极电流经过成比例的复制后，注入到所述带隙基准核心电路，以进行补偿； 所述关键晶体管为所述带隙基准核心电路中的NPN管Q2；所述偏置电流复制电路包括：NPN管Q3、运算放大器OP1、低阈值电压NMOS管NM1； 所述NPN管Q3的基极接所述NPN管Q2的基极，所述NPN管Q3的发射极接地，所述NPN管Q3的集电极、所述低阈值电压NMOS管NM1的源极和所述运算放大器OP1的反相输入端相连接，所述运算放大器OP1的同相输入端接所述NPN管Q2的集电极，所述运算放大器OP1的输出端接到所述低阈值电压NMOS管NM1的栅极，所述低阈值电压NMOS管NM1的漏极与所述电流镜电路相连接。
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