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龙图腾网获悉郑州磨料磨具磨削研究所有限公司;河南省功能金刚石研究院有限公司申请的专利一种高光学透过率CVD多晶金刚石厚膜的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117535647B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311572193.3，技术领域涉及：C23C16/27；该发明授权一种高光学透过率CVD多晶金刚石厚膜的制备方法是由曹博伦;徐帅;吴晓磊;赵延军;周文涛;刘晖;闫建明;康世豪;闫宁设计研发完成，并于2023-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高光学透过率CVD多晶金刚石厚膜的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种高光学透过率CVD多晶金刚石厚膜的制备方法，通过将制备的CVD多晶金刚石自支撑膜退火、双面平坦化抛光、清洗，然后在金刚石膜表面再次生长金刚石膜的方式制备了厚度可达毫米级以上的光学金刚石厚膜，解决了现有工艺制备多晶金刚石厚膜时由于晶体取向失控和晶体缺陷引起的金刚石品级光学性能严重降低的问题。经本发明方法制备的金刚石厚膜晶粒平均尺寸＜80μm，黑色缺陷尺寸＜5μm，黑色缺陷密度＜3cm22，红外波段光学透过率70.8%~71.2%，可应用于X射线窗口、红外制导窗口、高能微波馈入窗口等光学器件。

本发明授权一种高光学透过率CVD多晶金刚石厚膜的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高光学透过率CVD多晶金刚石厚膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤a：在单晶硅衬底表面采用MPCVD法生长多晶金刚石膜，生长参数为：微波功率5~60kW，沉积气压为12~18kPa，衬底温度800~1000℃，气体流量比例为H2:CH4:O2=100:3~6:0.1~0.5；多晶金刚石膜的厚度＜0.6mm，晶粒平均尺寸＜80μm，剥离衬底获得金刚石自支撑膜； 步骤b：将金刚石自支撑膜进行高温退火处理； 步骤c：将金刚石自支撑膜进行双面平坦化抛光，去除生长面凹凸不平的晶粒层和存在形变的形核层； 步骤d：将双面抛光后的金刚石膜进行化学清洗和离子清洗，清洗后将金刚石膜钎焊在单晶硅衬底表面； 步骤e：在金刚石膜表面采用MPCVD法再次生长金刚石薄膜；生长参数为：微波功率5~60kW，沉积气压为12~18kPa，衬底温度800~1000℃，气体流量比例为H2:CH4:O2=100:3~6:0.1~0.5；单次生长金刚石膜厚度＜0.6mm，晶粒平均尺寸＜80μm； 步骤f：重复步骤b~e直至多晶金刚石膜厚达到目标厚度； 步骤g：将生长至目标厚度的金刚石厚膜剥离衬底后进行退火，然后经抛光处理获得高光学透过率的CVD多晶金刚石厚膜。

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