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龙图腾网获悉郑州大学申请的专利金刚石中Si-V色心的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117448957B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311495468.8，技术领域涉及：C30B29/04；该发明授权金刚石中Si-V色心的制备方法是由单崇新;林超男;张镇峰;赵文博;焦富行设计研发完成，并于2023-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本金刚石中Si-V色心的制备方法在说明书摘要公布了：一种金刚石中Si‑V色心的制备方法，通过将处理好的单晶金刚石籽晶放置在同心圆硅片的中心部位，这样在生长过程中Ｈ等离子体会刻蚀含Si的固体并将Si原子释放到等离子体气氛中，从而将Si原子掺入到金刚石薄膜中获得Si‑V色心。另外在同心圆硅片上有多晶金刚石的生成，也含有Si‑V色心；通过这种方法首先实现了含有Si‑V色心的单晶金刚石和多晶金刚石的同时生长，其次通过改变生长气氛中甲烷的浓度，可对单晶金刚石中的Si‑V色心的浓度进行有效的调控，这是因为甲烷浓度的增加导致了更高的生长速率，这可以增强硅向金刚石晶格的扩散，也会增加缺陷的浓度，使得Si和空穴的结合更多。

本发明授权金刚石中Si-V色心的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Si-V色心单晶金刚石和Si-V色心多晶金刚石的同步制备方法，包括如下步骤； 1.选择环形高纯硅片，表面抛光处理，内部设有与圆形外边缘同心布置的中心孔； 2.高纯硅片表面采用依次进行丙酮、无水乙醇、去离子水超声清洗，清洗之后用氮气吹干备用； 3.选择尺寸大小与步骤1中的硅片中心孔匹配的高温高压单晶金刚石作为籽晶，单晶金刚石厚度与硅片厚度相同， 4.选择好的单晶金刚石，先通过王水浸泡24小时除杂，然后用去离子水将单晶金刚石表面的王水清洗干净，再对其依次进行丙酮、无水乙醇、去离子水的超声清洗，清洗之后用氮气吹干备用； 5.对吹干后的单晶金刚石籽晶表面进行等离子体刻蚀处理； 6.生长制备 将步骤2后的环形高纯硅片放置在MPCVD设备的钼托中间，之后将步骤5后的单晶金刚石籽晶放置到该环形的中心部位，设备生长温度为850℃，气氛为甲烷和氢气混合气，总气流量为200sccm；生长时间为12小时； 7在单晶金刚石籽晶上形成含有Si-V色心的单晶金刚石，在硅片上生成含有Si-V色心多晶金刚石。

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