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龙图腾网获悉贵州森远增材制造科技有限公司;贵州省冶金化工研究所申请的专利一种SLS尼龙制件表面冷烧结工艺方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116987314B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311012640.X，技术领域涉及：C08J7/12；该发明授权一种SLS尼龙制件表面冷烧结工艺方法是由孙茂银;高唯;金叶;邓正东;吴泽宏;梁寅;李英设计研发完成，并于2023-08-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种SLS尼龙制件表面冷烧结工艺方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种SLS尼龙制件表面冷烧结工艺方法，以SLS尼龙制件、叔丁醇钾、二环己基‑18‑冠醚‑6、3‑2,3‑环氧丙氧丙基三甲氧基硅烷、10%溶质质量分数的甲酸水溶液、氩气、四氢呋喃为原料，以内置有雾化颗粒度3μm‑5μm的雾化装置、低温脉冲等离子体发生装置、加热装置、立体气体搅拌装置的保护气氛电阻炉为生产设备，经历表面羟化、表面等离子活化、冷烧结三个步骤。本发明处理后的SLS尼龙制件具有断裂伸长率高、表面完整性好、无缺口冲击强度高、表面粗糙度好的特性。

本发明授权一种SLS尼龙制件表面冷烧结工艺方法在权利要求书中公布了：1.一种SLS尼龙制件表面冷烧结工艺方法，其特征在于包括以下阶段： S1：原料准备 ①原材料准备：准备SLS尼龙制件、足量叔丁醇钾、足量二环己基-18-冠醚-6、足量3-2,3-环氧丙氧丙基三甲氧基硅烷、足量10%溶质质量分数的甲酸水溶液、足量氩气、足量四氢呋喃； ②设备准备：准备内置有雾化颗粒度3μm-5μm的雾化装置、低温脉冲等离子体发生装置、加热装置、立体气体搅拌装置的保护气氛电阻炉； S2：制件表面活化 ①将阶段S1步骤①准备的SLS尼龙制件置于阶段S1步骤②准备的保护气氛电阻炉中，通入氩气保护； ②将阶段S1步骤①准备的叔丁醇钾、二环己基-18-冠醚-6、四氢呋喃按质量比28-32：1：3500-3800的比例混合均匀，制成混合液，然后将混合液雾化通入SLS尼龙制件所在的反应区域，开启立体气体搅拌装置，维持70min-80min；升温至45℃-55℃，然后在混合液内按混合液总质量计加入3wt%-3.5wt%的阶段S1步骤①准备的3-2,3-环氧丙氧丙基三甲氧基硅烷，继续保持温度和维持立体气体搅拌，持续120min-150min，然后抽真空，再采用阶段S1步骤①准备的四氢呋喃雾化冲刷制件表面，获得表面羟化制件； ③在步骤②完成后的表面羟化制件所在区域内再次抽真空然后充入足量氩气，采用低温脉冲等离子体发生装置将氩气以55V-60V、1.7A-1.8A的工艺参数，以制件为靶进行等离子体处理，获得表面活化制件； S3：低温烧结 ①将阶段S1步骤①准备的甲酸水溶液雾化通入阶段S2步骤③获得的表面活化制件所在的反应区域，开启立体气体搅拌装置，升温至45℃-55℃，处理50min-60min，获得所需表面低温烧结制件。

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