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龙图腾网获悉苏州智嗅科技有限公司申请的专利一种基于异质膜的高抗湿性气体传感器制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116698922B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310398909.6，技术领域涉及：G01N27/12；该发明授权一种基于异质膜的高抗湿性气体传感器制作方法是由彭小燕设计研发完成，并于2023-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于异质膜的高抗湿性气体传感器制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种基于异质膜的高抗湿性气体传感器制作方法，包括以下步骤：1在Si衬底的表面生长ZnO纳米棒；2在ZnO纳米棒的外表面生长MoS22纳米片，令MoS22纳米片包裹ZnO纳米棒；3从Si衬底上刮取ZnOMoS22薄膜；4溶解ZnOMoS22薄膜，得到ZnOMoS22溶解液；5将ZnOMoS22溶解液浇注到带有叉指电极的陶瓷基板上，得到带有ZnOMoS22异质膜层的气体传感器。本发明通过化学气相沉淀法合成了带有ZnOMoS22异质膜层的传感器，该传感器对于NO22气体具有极高的灵敏度，相比于传统传感器，本发明制作得到的传感器对高湿度环境更加耐受。

本发明授权一种基于异质膜的高抗湿性气体传感器制作方法在权利要求书中公布了：1.一种基于异质膜的高抗湿性气体传感器制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 1在Si衬底的表面生长ZnO纳米棒； 2在ZnO纳米棒的外表面生长MoS2纳米片，令MoS2纳米片包裹ZnO纳米棒； 3从Si衬底上刮取ZnOMoS2薄膜； 4溶解ZnOMoS2薄膜，得到ZnOMoS2溶解液； 5将ZnOMoS2溶解液浇注到带有叉指电极的陶瓷基板上，得到带有ZnOMoS2异质膜层的气体传感器； 步骤2中，在ZnO纳米棒的外表面生长MoS2纳米片的步骤包括： 2.1将MoO3粉末、NaCl粉末和S粉末混合，得到第二混合粉末；然后，将第二混合粉末放入化学气相沉积炉的石英舟内； 2.2将ZnO纳米棒倒置在第二混合粉末的顶部； 2.3加热化学气相沉积炉，当温度达到T3℃时，往化学气相沉积炉内注入氩气，进行MoS2纳米片的生长； 2.4退火，获得包裹ZnO纳米棒的MoS2纳米片； 步骤4中，溶解ZnOMoS2薄膜的步骤包括：将ZnOMoS2薄膜放入乙醇中，然后进行超声溶解。

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