泰州中来光电科技有限公司季根华获国家专利权
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龙图腾网获悉泰州中来光电科技有限公司申请的专利一种太阳能电池及其制备方法、组件和系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116565061B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210112025.5,技术领域涉及:H10F71/00;该发明授权一种太阳能电池及其制备方法、组件和系统是由季根华;沈承焕;陈程;张耕;曹俊;赵影文;包杰;杨俊楠;钱嘉伟;陈嘉;马丽敏设计研发完成,并于2022-01-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种太阳能电池及其制备方法、组件和系统在说明书摘要公布了:本发明公开一种太阳能电池及其制备方法、组件和系统。该太阳能电池包括硅衬底、依次叠设于硅衬底的掺杂层和钝化层,钝化层开有局域裸露掺杂层的电极槽,电极槽设有背面电极;背面电极包括依次叠设于掺杂层的种子金属硅化物层、种子金属氧化物薄层、混合导电层和外金属层;种子金属硅化物层为钼硅化物层、镍硅化物层和钛硅化物层中的一层或多层,种子金属氧化物薄层为钼氧化物薄层、镍氧化物薄层和钛氧化物薄层中的一层或多层,其厚度不大于20nm,混合导电层为种子金属氧化物与种子金属‑外金属合金体相互扩散形成的结构。该太阳能电池具有新的电极结构,能促进电极结构和性能改进,降低成本,电流传输性优异,金属复合损失小。
本发明授权一种太阳能电池及其制备方法、组件和系统在权利要求书中公布了:1.一种太阳能电池,其特征在于:包括硅衬底、依次叠设于所述硅衬底背面的掺杂层和钝化层,所述钝化层开设有局域裸露所述掺杂层的电极槽,所述电极槽设有背面电极;所述背面电极包括依次叠设于局域裸露的掺杂层背面的种子金属硅化物层、种子金属氧化物薄层、混合导电层和外金属层;所述种子金属硅化物层为钼硅化物层、镍硅化物层和钛硅化物层中的一层或多层叠加,所述种子金属氧化物薄层为钼氧化物薄层、镍氧化物薄层和钛氧化物薄层中的一层或多层叠加,且种子金属氧化物薄层的厚度小于或等于20nm,所述混合导电层为种子金属氧化物与种子金属-外金属合金体相互扩散形成的结构。
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