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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种含T型高频结构的混合器件四电平变换器及SPWM混频调制控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116545285B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310570733.8，技术领域涉及：H02M7/483；该发明授权一种含T型高频结构的混合器件四电平变换器及SPWM混频调制控制方法是由王秦松;李楚杉;马皓;李武华;董家展设计研发完成，并于2023-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种含T型高频结构的混合器件四电平变换器及SPWM混频调制控制方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种含T型高频结构的混合器件四电平变换器及SPWM混频调制控制方法。所述变换器拓扑侧重点在于基于传统有源中点箝位式四电平拓扑，单相桥臂开关网络分为低频选通部分和高频换流部分。其中低频选通部分由六个硅基绝缘栅双极型晶体管组成，构成三个半桥，分别箝位在三个母线电容两端；高频换流部分设计为T型三电平结构，由四个碳化硅基金属氧化物半导体场效应管组成。所提出的SPWM混频调制控制方法侧重点在于规定了特定的开关状态和切换序列，保证开关周期内只有碳化硅基金属氧化物半导体场效应管动作，硅基绝缘栅双极型晶体管只在参考电压过零时切换，进而在实现整个系统高频化的同时，降低变换器的成本，极具工程推广前景。

本发明授权一种含T型高频结构的混合器件四电平变换器及SPWM混频调制控制方法在权利要求书中公布了：1.一种含T型高频结构的混合器件四电平变换器，其特征在于包含一个直流母线、第一电容、第二电容、第三电容、三个T型四电平单相桥臂和三相交流侧： 1所述的直流母线阳极连接至所述第一电容的正极性端并引出第一个直流母线功率端子，所述第二电容的正极性端连接至所述第一电容的负极性端并引出第二个直流母线功率端子，所述第三电容的正极性端连接至所述第二电容的负极性端并引出第三个直流母线功率端子，所述的直流母线阴极连接至所述第三电容的负极性端并引出第四个直流母线功率端子； 2每个所述的四电平单相桥臂均包括十个开关器件，其中，第一至第六开关器件为硅基绝缘栅双极型晶体管，第七至第十开关器件为碳化硅基金属氧化物半导体场效应管，第二开关器件Q2的集电极连接至第一开关器件Q1的发射极，第三开关器件Q3的集电极连接至第二开关器件Q2的发射极，第四开关器件Q4的集电极连接至第三开关器件Q3的发射极，第五开关器件Q5的集电极连接至第四开关器件Q4的发射极，第六开关器件Q6的集电极连接至第五开关器件Q5的发射极，第九开关器件Q9的源极连接至第八开关器件Q8的源极，第十开关器件Q10的漏极连接至第七开关器件Q7的源极，第七开关器件Q7的漏极连接至第一开关器件Q1和第二开关器件Q2的公共端，第八开关器件Q8的漏极连接至第七开关器件Q7和第十开关器件Q10的公共端，第九开关器件Q9的漏极连接至第三开关器件Q3和第四开关器件Q4的公共端，第十开关器件Q10的源极连接至第五开关器件Q5和第六开关器件Q6的公共端；从第一开关器件Q1的集电极引出第一个单相桥臂功率端子，从第二开关器件Q2和第三开关器件Q3的公共端引出第二个单相桥臂功率端子，从第四开关器件Q4和第五开关器件Q5的公共端引出第三个单相桥臂功率端子，从第六开关器件Q6的发射极引出第四个单相桥臂功率端子；从第九开关器件Q9和第十开关器件Q10的公共端引出输出端子； 3对每一相而言，所述第一个单相桥臂功率端子连接至所述第一个直流母线功率端子，所述第二个单相桥臂功率端子连接至所述第二个直流母线功率端子，所述第三个单相桥臂功率端子连接至所述第三个直流母线功率端子，所述第四个单相桥臂功率端子连接至所述第四个直流母线功率端子；所述三个T型四电平单相桥臂的输出端子连接至三相交流侧。

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