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天津巴莫科技有限责任公司李红磊获国家专利权

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龙图腾网获悉天津巴莫科技有限责任公司申请的专利正极复合材料及其制备方法、正极片和电池获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116525784B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310452631.6,技术领域涉及:H01M4/36;该发明授权正极复合材料及其制备方法、正极片和电池是由李红磊;张海天;吉长印;吕菲;徐宁设计研发完成,并于2023-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。

正极复合材料及其制备方法、正极片和电池在说明书摘要公布了:本申请涉及锂电池技术领域,特别是一种正极复合材料及其制备方法、正极片和电池。以解决相关技术中包覆层和本体材料之间的界面稳定性和结构稳定性较差的问题。一种正极复合材料,包括:本体材料和包覆层,本体材料包括通式LiwwNiaaCobbMnccX1‑a‑b‑c1‑a‑b‑cO22的材料,其中,X包括Al、Ti、Zr、Mg和W中的一种或多种,且0.95≤w≤1.1,0.6≤a≤1,b≥0,c≥0;包覆层的材料通式为LiααNiββCoγγMnδδO22,其中,0<α≤1,0≤β≤0.6,0≤γ≤1,0≤δ≤1,且β、γ和δ不同时为0;本体材料和包覆层之间的界面为共格相界。

本发明授权正极复合材料及其制备方法、正极片和电池在权利要求书中公布了:1.一种正极复合材料,其特征在于,包括本体材料和包覆层; 所述本体材料包括通式LiwNiaCobMncX1-a-b-cO2的材料,其中X包括Al、Ti、Zr、Mg和W中的一种或多种,且0.95≤w≤1.1,0.6≤a≤1,b≥0,c≥0; 所述包覆层包括通式LiαNiβCoγMnδO2的材料,其中,0<α≤1,0≤β≤0.6,0≤γ≤1,0≤δ≤1,且β、γ和δ不同时为0; 所述本体材料和所述包覆层之间的界面为共格相界; 所述包覆层的厚度≤200nm。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人天津巴莫科技有限责任公司,其通讯地址为:300384 天津市滨海新区新技术产业园区华苑产业区(环外)海泰大道8号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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