买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉上海艾深斯科技有限公司申请的专利用于KrF显微光刻法的单层组合物中组合的硬掩模和ARC获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116496500B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210054448.6，技术领域涉及：C08G77/18；该发明授权用于KrF显微光刻法的单层组合物中组合的硬掩模和ARC是由郑学刚设计研发完成，并于2022-01-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于KrF显微光刻法的单层组合物中组合的硬掩模和ARC在说明书摘要公布了：新的组合物包含作为组合的抗反射涂层ARC和硬掩模HM的硅氧烷共聚物，其由以下单体的共水解形成：RO44Si、R11SiCl33、R22SiCl33、R33SiCl33和R44SiCl33其中：R是烷基例如甲基或乙基基团，R11是248nm显微光刻法中抗反射的发色团例如多环芳基基团例如蒽、蒽甲基、蒽乙基和蒽丙基，R22是H，R33是甲基或非必要取代的C2‑C5烷基基团，并且非必要的R44是亲水性基团例如2‑[甲氧基聚亚乙基氧基6‑96‑9丙基]三氯硅烷或2‑甲氧羰基乙基三氯硅烷。其中起始单体混合物中每种单体的摩尔％浓度0.00A、B、C、D0.95,0.00≤E0.50和A+B+C+D+E的总摩尔％浓度＝1。

本发明授权用于KrF显微光刻法的单层组合物中组合的硬掩模和ARC在权利要求书中公布了：1.耐蚀刻抗反射组合物ARCHM，包含硅氧烷共聚物，该硅氧烷共聚物由以下单体在溶剂中的共水解形成： ARO4Si， BR1SiCl3 CR2SiCl3 DR3SiCl3 ER4SiCl3 其中： R在每次出现时独立地选自C1-C4烷基， R1是248nm显微光刻法中抗反射的发色团，其中发色团选自多环芳族基团，其中多环芳族基团选自蒽甲基、蒽乙基、和蒽丙基， R2是H， R3是甲基或非必要取代的C2-C5烷基基团，其中在C2-C5烷基基团上非必要取代的基团包含乙基、丙基、异丙基、丁基和异丁基， R4是亲水性基团，其中亲水性基团选自2-[甲氧基聚亚乙基氧基6-9丙基]或2-甲氧羰基乙基， 其中起始单体混合物中每种单体的摩尔%浓度0摩尔%A、B、C、D95摩尔%，0摩尔%E50摩尔%和A+B+C+D+E的总摩尔%浓度=100摩尔%， 其中硅氧烷共聚物具有以下结构： [R1SiOH2O0.5]f[R1SiO1.5]g[R1SiOHO]h[R2SiOH2O0.5]m[R2SiO1.5]n[R2SiOHO]p[SiOH3O0.5]r[SiOH2O]s[SiOHO1.5]t[SiO2]q[R3SiOH2O0.5]v[R3SiO1.5]w[R3SiOHO]d[R4SiOH2O0.5]x[R4SiO1.5]y[R4SiOHO]z 其中0f,g,h,m,n,p,r,s,t,q,v,w,d0.9,0.00x,y,z0.50且f+g+h+m+n+p+r+s+t+q+v+w+d+x+y+z=1。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海艾深斯科技有限公司，其通讯地址为：201600 上海市松江区佘山镇吉业路399号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。