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龙图腾网获悉合肥国轩高科动力能源有限公司申请的专利一种低残碱长循环的氧化亚硅碳材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116487551B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310431521.1，技术领域涉及：H01M4/36；该发明授权一种低残碱长循环的氧化亚硅碳材料及其制备方法是由万文文;刘浩然;林少雄;王辉;赵鹏;张辰;丁男设计研发完成，并于2023-04-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低残碱长循环的氧化亚硅碳材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低残碱长循环的氧化亚硅碳材料及其制备方法，包括内核为含有单一锂硅酸盐相的低晶粒尺寸氧化亚硅，表面具有非水溶性硅酸盐相，以及包覆在表面的双碳层，所述双碳层内层为CVD包覆形成的疏水碳层，外碳层为具有亲水基团的导电碳层。本发明采用非活性锂源进行长时高温恒温预锂，非活性锂源增加氧化亚硅表面氧含量，完成表面钝化，既抑制预锂过程中的歧化反应和后续活性锂源预锂时表面的还原反应，进一步抑制晶体硅的产生，高温下锂通过扩散在内核内部形成锂硅酸盐相。

本发明授权一种低残碱长循环的氧化亚硅碳材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低残碱长循环的氧化亚硅碳材料的制备方法，其特征在于，包括下述步骤： S1、采用CVD气相包覆工艺在氧化亚硅颗粒表面包覆碳层厚度为1nm～20nm的高导电碳层得到粉末A； S2、将粉末A与非活性锂源混合均匀，在惰性气氛下700℃～850℃煅烧3h～6h，得到粉末B；非活性锂源为氧化锂、碳酸锂、硫酸锂、硝酸锂中的一种； S3、将粉末B与活性锂源混合均匀，在惰性气氛下先高温700℃～850℃下煅烧0.1h～1h，再低温600℃～750℃下煅烧2h～10h，得到粉末C；活性锂源为氮化锂、氢化锂、叠氮化锂、锂粉中的一种或多种； S4、将粉末C放置于0.01M～0.1M的氯化亚锡溶液中溶液中搅拌0.1h～2h，向溶液中继续加入金属化合物形成0.1M～2M均一溶液，继续搅拌1h～3h，过滤后烘干，放置于惰性气氛下500℃～800℃煅烧3h～6h得到粉末D； S5、将粉末D先采用水系洗涤液洗涤烘干，再用油系洗涤液洗涤烘干后得到粉末F；水系洗涤液为80wt％～99wt％的去离子水和20wt％～1wt％分散溶液，所述分散溶液为甲醇、乙醇和乙二醇中一种，所述油系洗涤液为40wt％～97wt％的溶质和60wt％～3wt％的去残碱剂，所述溶质为N-甲基吡咯烷酮、甲醇、乙醇和乙二醇；所述去残碱剂为甘氨酸、间苯二酚、氢氰酸、甲酸、乙酸、三氟乙酸、草酸、柠檬酸中的一种或多种； S6、将粉末F与有机碳源混合均匀，在惰性气氛中600℃～800℃煅烧1h～3h得到1nm～20nm具有亲水基团的外导电碳层的低残碱长循环的氧化亚硅碳材料； 所述的低残碱长循环的氧化亚硅碳材料，包括内核为含有单一锂硅酸盐相的低晶粒尺寸氧化亚硅，表面具有非水溶性硅酸盐相，以及包覆在表面的双碳层；所述双碳层内层为疏水碳层，外碳层为具有亲水基团的导电碳层；所述单一锂硅酸盐相为Li2Si2O5、Li4SiO4和LiSiO中的一种。

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