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龙图腾网获悉山东博达光电有限公司申请的专利用于水热法石英晶体生长高压釜的内壁保护层生成法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116479514B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310356721.5，技术领域涉及：C30B7/10；该发明授权用于水热法石英晶体生长高压釜的内壁保护层生成法是由易际让;王晓刚;黄玲香;刘盛涨设计研发完成，并于2023-04-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于水热法石英晶体生长高压釜的内壁保护层生成法在说明书摘要公布了：本发明涉及水热法石英晶体生长技术领域，本发明公开了一种用于水热法石英晶体生长高压釜的内壁保护层生成法，高压釜内腔中设置籽晶架和原料筐，方法包括以下步骤：生成保护层的面积及所需SiO22的计算；生成保护层的溶液的计算；保护层试剂溶液的配制；在高压釜外部设置测温点；设定升温温度还包括升温曲线；将计算所得的SiO22以及保护层试剂溶液放入高压釜内，而后密封；按照设定的恒温温度启动高压釜升温后恒温运行；结束后，用去离子水对高压釜内釜壁进行清洗，得到带有保护层的高压釜内釜壁。本发明即可有效的去除附着的包裹体杂质，又可生成硅酸铁钠保护层。

本发明授权用于水热法石英晶体生长高压釜的内壁保护层生成法在权利要求书中公布了：1.用于水热法石英晶体生长高压釜的内壁保护层生成法，高压釜内腔中设置籽晶架1、原料筐3，籽晶架1包括用于绑籽晶片的籽晶架圈11、籽晶架支架柱12和内挡板2，其特征在于包括以下步骤： 1、生成保护层的面积及所需SiO2的计算： 设定高压釜内表面积为S1，籽晶架支架柱12表面积为S2，籽晶架圈11表面积为S3，内挡板2表面积为S4，原料筐3表面积为S5； 生成保护层的面积S6=S1+S2+S3+S4+S5； 所需SiO2的重量=S6×δ×ρ+w1； δ代表所需保护膜的厚度，ρ代表SiO2的比重，w1代表SiO2在矿化剂中的过饱和溶解重量； 2、生成保护层的溶液的计算： 以去离子水为溶液；去离子水的体积为高压釜内有效体积的80~83%； 高压釜内有效体积V=π×D122×H1-W1+W27.8-W2.65； 其中：D1为高压釜内径；H1为高压釜内有效高度；W为SiO2重量Kg、W1为籽晶架1重量、W2为原料筐3重量、7.8和2.65分别为钢和二氧化硅的比重； 3、保护层试剂溶液的配制： 按照1L去离子水配用0.5±0.01mol的NaOH、0.1±0.01mol的Na2CO3、0.08±0.01mol的NaNO2的用量比关系； 在步骤2计算所得量的去离子水中分别加入NaOH、Na2CO3、NaNO2配制成保护层试剂溶液； 4、在高压釜外部从上至下设置5个测温点位置，分别是上部Ⅰ测温点4、上部Ⅱ测温点5、下部Ⅰ测温点6、下部Ⅱ测温点7、下部Ⅲ测温点8； 所有的内挡板2均位于上部Ⅱ测温点5、下部Ⅰ测温点6之间的高度位置，原料筐3位于下部Ⅰ测温点6和下部Ⅲ测温点8之间的高度位置； 5、设定升温温度： 设定上部Ⅰ测温点4的恒温温度为336±6℃；上部Ⅱ测温点5的恒温温度为336±6℃；下部Ⅰ测温点6的恒温温度为366±6℃；下部Ⅱ测温点7的恒温温度为366±6℃；下部Ⅲ测温点8的恒温温度为366±6℃； 6、装釜： 将步骤1计算所得的SiO2装入原料筐3，然后将装有原料的原料筐3、整个籽晶架1装入高压釜内，并向高压釜内灌入步骤3计算所得的保护层试剂溶液；此时装有原料的原料筐3被保护层试剂溶液全部浸泡，籽晶架1被保护层试剂溶液部分浸泡；然后对高压釜内腔进行密封操作； 7、按照步骤5设定的恒温温度启动高压釜升温，上部Ⅰ测温点4、上部Ⅱ测温点5、下部Ⅰ测温点6、下部Ⅱ测温点7、下部Ⅲ测温点8在相同的时间内均匀升至各自设定的恒温温度； 恒温后高压釜内腔的压力保持在110-120MPa，经48±2小时恒温运行后，关闭用于维持高压釜恒温的加热电源，从而自然降温； 8、当高压釜降至室温时进行开启；并用去离子水对高压釜内釜壁进行清洗，得到带有保护层的高压釜内釜壁。

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