哈尔滨工业大学程健获国家专利权
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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利一种低缺陷AlSi10Mg合金直接能量沉积增材制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116441560B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310249811.4，技术领域涉及：B22F10/25；该发明授权一种低缺陷AlSi10Mg合金直接能量沉积增材制造方法是由程健;董恩洁;陈明君;赵林杰;邢云皓;卢俊文;常庭毓;王景贺;刘赫男设计研发完成，并于2023-03-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低缺陷AlSi10Mg合金直接能量沉积增材制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种低缺陷AlSi10Mg合金直接能量沉积增材制造方法，属于激光金属增材制造领域，为解决现有的采用直接能量沉积技术制造AlSi10Mg合金孔隙率较高的问题。本发明方法包括加工材料预处理与营造加工环境、基材预热处理、第一层沉积层加工、吹粉与层间冷却、沉积层加工表面预热和下一层沉积层加工过程，进行多层沉积，至待加工零件沉积至预定高度，完成加工。本发明通过采用往复扫描、层间冷却、层间偏移、激光扫描预热的方式，在一定加工参数范围内，有效的防止沉积层塌陷、降低沉积层孔隙率，提高直接能量沉积激光增材制造AlSi10Mg产品的力学性能。
本发明授权一种低缺陷AlSi10Mg合金直接能量沉积增材制造方法在权利要求书中公布了：1.一种低缺陷AlSi10Mg合金直接能量沉积增材制造方法，其特征在于包括如下步骤： S1、加工材料预处理、营造加工环境：对AlSi10Mg粉末和基材进行预处理，加工环境为惰性气体氛围加工环境； S2、基材预热处理：对基材使用拟定加工参数中激光功率的40-60%进行扫描预热处理； S3、第一层沉积层加工：采用往复扫描的方式对第一层沉积层进行加工，道间搭接率为40%； S4、吹粉与层间冷却：使用惰性气体吹去上一层沉积层表面上未参与熔融的多余浮粉，并起到层间冷却的作用； S5、沉积层加工表面预热：对上一层沉积层表面使用激光功率比基材预热的激光功率低10-15%进行扫描预热处理； S6、下一层沉积层加工：采用往复扫描的方式对该沉积层进行加工，相邻沉积层之间偏移量为拟定加工参数下单道熔覆层熔宽的30%； S7、步骤七：重复S4、S5和S6进行多层沉积，至待加工零件沉积至预定高度后，加工结束。
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