上海矽睿科技股份有限公司安兴获国家专利权
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龙图腾网获悉上海矽睿科技股份有限公司申请的专利流量传感器模块及流量计获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116429194B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211676187.8，技术领域涉及：G01F1/69；该发明授权流量传感器模块及流量计是由安兴;罗英哲;颜培力;李嗣晗;王安康设计研发完成，并于2022-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本流量传感器模块及流量计在说明书摘要公布了：本发明涉及一种流量传感器模块及流量计，流量传感器模块包括主体、传感器单元及检测电极，检测电极包括第一电极结构及第二电极结构，第一电极结构与第二电极结构之间形成有间隙结构。在使用过程中，杂质将同时在检测电极及传感器单元的感测区域上累积。而随着杂质在检测电极上累积，第一电极结构与第二电极结构之间的间隙结构将发生变化，从而导致检测电极的电阻或电容等电性参数发生变化。因此，通过对检测电极的电性参数进行检测，便可得到杂质在检测电极及传感器单元的感应区域的累积程度，从而当杂质在传感器单元的感测区域累积的程度影响测量精度时，能够及时提示对传感器单元进行清洁或更换，以保持较高测量精度。
本发明授权流量传感器模块及流量计在权利要求书中公布了：1.一种流量传感器模块，其特征在于，包括主体，所述主体内形成有供流体通过的流体流道，所述主体内设置有传感器单元及检测电极，所述传感器单元的感测区域至少部分暴露于所述流体流道或构成所述流体流道的内壁的一部分，所述检测电极暴露于所述流体流道内并位于所述传感器单元的上游侧和或下游侧，所述检测电极包括第一电极结构及第二电极结构，所述第一电极结构与所述第二电极结构之间形成有间隙结构；所述主体内形成有与所述流体流道连通的检测槽，所述检测电极位于所述检测槽内。
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