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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利套刻偏差补偿方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116414005B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111678880.4，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权套刻偏差补偿方法是由柏耸;张高颖;邱运航设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本套刻偏差补偿方法在说明书摘要公布了：一种套刻偏差补偿方法，包括：提供若干批次具有第一曝光层的晶圆，所述第一曝光层上具有对准标记；在第一曝光层上形成第二曝光层；将光刻机与对准标记进行对准，获取第一下货值；获取第一量测值，所述第一量测值为所述第二曝光层相对于第一曝光层的偏移量；根据所述第一下货值和第一量测值，获取各批次晶圆对应的最佳下货值；根据若干所述最佳下货值对若干批次晶圆进行分组，获取若干组别，任一组别内包括至少一个批次的晶圆；对同一组别内的若干批次晶圆的光刻机进行刻蚀偏差的迭代补偿，获取若干位于第二曝光层上的第三曝光层。所述方法进行组内补偿效果较好。

本发明授权套刻偏差补偿方法在权利要求书中公布了：1.一种套刻偏差补偿方法，其特征在于，包括： 提供若干批次晶圆，所述若干批次晶圆上均具有第一曝光层，所述第一曝光层上具有对准标记； 在第一曝光层上形成第二曝光层； 将光刻机与对准标记进行对准，获取第一下货值，所述第一下货值为光刻机的对准系统与对准标记进行对准后所调节的偏移量； 获取第一量测值，所述第一量测值为所述第二曝光层相对于第一曝光层的偏移量； 根据所述第一下货值和第一量测值，获取各批次晶圆对应的最佳下货值，所述最佳下货值为所述第一下货值和第一量测值之和； 根据若干所述最佳下货值对若干批次晶圆进行分组，获取若干组别，任一组别内包括至少一个批次的晶圆； 对同一组别内的若干批次晶圆的光刻机进行刻蚀偏差的迭代补偿，获取若干位于第二曝光层上的第三曝光层，包括：选取任一组别内的第一批次晶圆，在第一批次晶圆的第二曝光层上形成第三曝光层；获取第一批次晶圆的第二量测值，所述第一批次晶圆的第二量测值为第一批次晶圆的第三曝光层相对于第二曝光层的偏移量；根据所述第一批次晶圆的第二量测值对第二批次晶圆的光刻机进行补偿；对第二批次晶圆的光刻机进行补偿之后，在第二批次晶圆的第二曝光层上形成第三曝光层；获取第二批次晶圆的第二量测值，所述第二批次晶圆的第二量测值为第二批次晶圆的第三曝光层相对于第二曝光层的偏移量；根据所述第二批次晶圆的第二量测值对第三批次晶圆的光刻机进行补偿；重复多次获取不同批次晶圆的第二量测值，直至对同一组别内的若干批次晶圆的光刻机都进行补偿。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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