中芯国际集成电路制造(上海)有限公司江春珂获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利光学邻近修正方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116413994B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111679001.X，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权光学邻近修正方法是由江春珂;王兴荣;刘娟;王伟斌设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本光学邻近修正方法在说明书摘要公布了：一种光学邻近修正方法，包括：在第一版图中获取关键区，所述第一版图包括若干第一图形，所述第一图形部分位于所述关键区内；以每个第一图形的轮廓与所述关键区边界的若干交点为切割原点，对若干第一图形进行轮廓切割，形成若干第一片段；对若干第一片段进行偏移处理，形成第二版图。所述光学邻近修正方法能够提高光学邻近修正的效率和准确性。
本发明授权光学邻近修正方法在权利要求书中公布了：1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括： 提供目标版图，所述目标版图包括若干目标图形，其中，所述目标版图包括沿第一方向排布的第一区和第二区，所述目标图形在第二方向延伸，所述第一方向与第二方向互相垂直，若干目标图形位于所述第一区，若干目标图形位于所述第二区，并且，在所述第一方向上，第一区中相邻目标图形的间距小于第二区中任意目标图形与第二区边界的间距； 对若干目标图形的轮廓进行补偿移边处理，形成第一版图；其中，对若干目标图形的轮廓进行补偿移边处理的方法包括：对若干目标图形的轮廓中平行于所述第一方向的边进行第二方向上的偏移，以增大目标图形在所述第二方向上的长度，并且，所述偏移中，对第二区的目标图形的边的偏移距离大于对第一区的目标图形的边的偏移距离； 在第一版图中获取关键区，所述第一版图包括若干第一图形，所述第一图形部分位于所述关键区内； 以每个第一图形的轮廓与所述关键区边界的若干交点为切割原点，对若干第一图形进行轮廓切割，形成若干第一片段； 对若干第一片段进行偏移处理，形成第二版图。
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