中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司杜杳隽获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利图形修正方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116413992B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111678900.8，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权图形修正方法是由杜杳隽设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本图形修正方法在说明书摘要公布了：一种图形修正方法，包括：提供待修正版图；获取所述待修正版图对应的原始光强分布；获取所述待修正版图对应的扩散分布；采用自由卷积模型对所述原始光强分布和扩散分布进行处理，获取有效光强分布；以大于有效光强阈值的有效光强进行模拟曝光，获取模拟曝光版图；根据模拟曝光版图获取光刻版图；根据光刻版图和模拟曝光版图在相同位置的尺寸，获取平均偏移量。所述方法使得光学邻近修正模型的预测能力与真实值差距缩小。
本发明授权图形修正方法在权利要求书中公布了：1.一种图形修正方法，其特征在于，包括： 提供待修正版图； 获取所述待修正版图对应的原始光强分布； 获取所述待修正版图对应的扩散分布，所述扩散分布包括光酸分布和光碱分布； 采用自由卷积模型对所述原始光强分布和扩散分布进行处理，获取有效光强分布，根据自由卷积模型对所述原始光强分布、光酸分布和光碱分布进行处理，获取有效光强分布，其中，Ieffective为有效光强分布，I为原始光强分布，I-b为光酸分布，I+b为光碱分布，C0、C1、……、C15为待优化系数，b为待优化参数，FMK为自由卷积模型，为自由卷积模型中的变量，k的取值范围为1至13，i的取值范围为1至N的自然数； 以大于有效光强阈值的有效光强进行模拟曝光，获取模拟曝光版图； 根据模拟曝光版图获取光刻版图； 根据光刻版图和模拟曝光版图在相同位置的尺寸，获取平均偏移量。
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