中芯国际集成电路制造(深圳)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司冯霞获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(深圳)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利光器件及光器件的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116266691B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111556559.9，技术领域涉及：H01S5/10；该发明授权光器件及光器件的形成方法是由冯霞;曾红林;陈晓军;吴家亨;殷霞革;张冬生设计研发完成，并于2021-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本光器件及光器件的形成方法在说明书摘要公布了：一种光器件及光器件的形成方法，结构包括：衬底，所述衬底包括第一基底、位于第一基底上的埋氧层以及位于埋氧层上的第二基底；位于第二基底内的第一波导以及位于第一波导两侧的第一凹槽；位于第二基底内的第二波导以及位于第二波导两侧的第二凹槽，所述第二凹槽的深度大于第一凹槽的深度；位于第二基底内的第三波导以及位于第三波导两侧的第三凹槽，所述第三凹槽暴露出所述埋氧层表面，所述第三波导包括第三起始区，所述第三起始区在衬底表面的投影为三角形。所述结构能够有效减小回波损耗。
本发明授权光器件及光器件的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种光器件，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括第一基底、位于第一基底上的埋氧层以及位于埋氧层上的第二基底； 位于第二基底内的第一波导以及位于第一波导两侧的第一凹槽； 位于第二基底内的第二波导以及位于第二波导两侧的第二凹槽，所述第二凹槽的深度大于第一凹槽的深度； 位于第二基底内的第三波导以及位于第三波导两侧的第三凹槽，所述第三凹槽暴露出所述埋氧层表面，所述第三波导包括第三起始区，所述第三起始区在衬底表面的投影图形为三角形或梯形； 位于所述第三波导上方的第四波导。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(深圳)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，其通讯地址为：518118 广东省深圳市坪山新区出口加工区高芯路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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