重庆康佳光电技术研究院有限公司萧俊龙获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆康佳光电技术研究院有限公司申请的专利芯片转移基板、装置及方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116247070B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111492346.4,技术领域涉及:H10H29/03;该发明授权芯片转移基板、装置及方法是由萧俊龙;印朝维设计研发完成,并于2021-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片转移基板、装置及方法在说明书摘要公布了:本发明涉及一种芯片转移基板、装置及方法。该芯片转移基板的表面设有凹槽,所述凹槽在受热前具有第一状态,并在受热后具有第二状态;所述凹槽处于所述第一状态时的尺寸大于待转移芯片的尺寸,所述凹槽处于第二状态时的尺寸小于所述待转移芯片的尺寸。上述芯片转移基板中的凹槽,在受热前具有第一状态,并在受热后具有第二状态,第二状态时凹槽的尺寸小于待转移芯片的尺寸,从而能够夹持位于凹槽内的待转移芯片;上述芯片转移基板,通过改变凹槽的尺寸大小,实现芯片的夹持及释放,无需PDMS即可完成芯片的转移,从而能够降低芯片转移成本,缩短芯片制程;上述芯片转移基板价格低廉,制作时程短,并且能够重复利用,利于后续芯片量产化。
本发明授权芯片转移基板、装置及方法在权利要求书中公布了:1.一种芯片转移基板,其特征在于,所述芯片转移基板的表面设有凹槽,所述凹槽在受热前具有第一状态,并在受热后具有第二状态;所述凹槽处于所述第一状态时的尺寸大于待转移芯片的尺寸,所述凹槽处于第二状态时的尺寸小于所述待转移芯片的尺寸; 所述芯片转移基板包括: 基板主体,所述基板主体的表面设有初始凹槽; 热胀冷缩材料层,至少位于所述初始凹槽的侧壁,以形成所述凹槽。
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