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龙图腾网获悉绍兴德汇半导体材料有限公司;浙江德汇电子陶瓷有限公司申请的专利一种覆铜陶瓷基板剥离测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116223363B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211106735.3，技术领域涉及：G01N19/04；该发明授权一种覆铜陶瓷基板剥离测试方法是由黄世东;徐荣军;季玮;衡冬杰设计研发完成，并于2022-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种覆铜陶瓷基板剥离测试方法在说明书摘要公布了：本发明涉及覆铜陶瓷基板剥离测试技术领域，涉及一种覆铜陶瓷基板剥离测试方法，本发明包括如下步骤：覆铜陶瓷基板正反面进行铜箔蚀刻以及焊料蚀刻形成基材，基材包括正面铜箔层、基板和反面铜箔层，正面铜箔层与反面铜箔层均包括A面铜箔片和B面铜箔片；B面铜箔片接触的基板面上进行激光切割；将切割好的基材通过裂片工序分割成测试片，测试片包括片A面铜箔片、基板和B面铜箔片，A面铜箔片上设有拉力条；将测试片进行直角弯折，使测试片形成水平部和竖直部；水平部插入剥离测试机的治具内进行限位，夹持器夹持并向上拉动竖直部，使拉力条与基板进行分离，得到剥离强度拉力，省略刮除焊料工序，测试周期缩短，提高剥离测试数据准确性。

本发明授权一种覆铜陶瓷基板剥离测试方法在权利要求书中公布了：1.一种覆铜陶瓷基板剥离测试方法，其特征在于，包括如下步骤： S1：利用蚀刻液对覆铜陶瓷基板正反面进行铜箔蚀刻处理以及焊料蚀刻处理形成基材，所述基材包括由上至下的正面铜箔层、基板和反面铜箔层，所述正面铜箔层与所述反面铜箔层均包括依次交替连接的A面铜箔片和B面铜箔片； S2：在S1中的与B面铜箔片接触的基板面上进行激光切割，激光切割的凹槽深度为30%； S3：将切割好的基材通过裂片工序分割成若干组测试片，所述测试片包括由上至下依次设置的单片A面铜箔片、基板和单片B面铜箔片，所述A面铜箔片上设有拉力条； S4：将S3中的测试片沿着S2中的凹槽进行直角弯折，使测试片形成水平部和竖直部； S5：将S4中的测试片的水平部插入剥离测试机样台上的治具内的间槽进行限位，剥离测试机的夹持器夹持并向上拉动竖直部，使水平部上的拉力条与基板进行分离，通过剥离测试机测试得到剥离强度拉力； 所述治具包括底板、固定块一和固定块二，所述底板固定于剥离测试机样台上，所述固定块一和固定块二固定于底板上，所述间槽位于固定块一和固定块二之间，所述间槽包括相互连通的上拉槽和下卡槽，所述上拉槽用于容纳A面铜箔片中的拉力条，所述下卡槽用于容纳基板与B面铜箔片； 所述下卡槽宽度大于上拉槽宽度设置； 所述下卡槽高度为1.8mm，所述上拉槽的宽度为13.4mm。

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