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龙图腾网获悉瑞声开泰科技(武汉)有限公司申请的专利MEMS声传感器制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116199180B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310148526.3，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权MEMS声传感器制作方法是由但强;李仲民;吴健兴;黎家健;李杨设计研发完成，并于2023-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本MEMS声传感器制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种MEMS声传感器制作方法，该方法包括如下步骤：在基板叠设结构层和压电材料层；依次对压电材料层和结构层进行光刻造型；在压电材料层叠设聚合物层；将基板刻蚀形成空腔；将治具的第一部分叠设于聚合物层，第一部分设有拱形槽，使得拱形槽与结构缝隙正对设置，再加热至第一温度，以使聚合物层呈橡胶态；经空腔吹入气体，并控制所述空腔内的气压达到预设值，使得聚合物层形成拱形部；保持气体的气压载荷，并降温至第一温度以下，以使聚合物层呈玻璃态；停止对空腔内的气压控制并降低气压，拆卸治具，再晶圆切割，得到MEMS声传感器。与相关技术相比，采用本发明的技术方案可以有效提高加工精度且可靠性高。

本发明授权MEMS声传感器制作方法在权利要求书中公布了：1.一种MEMS声传感器制作方法，其特征在于，该方法包括如下步骤： 提供基板，在所述基板的一侧依次叠设结构层和压电材料层； 依次对所述压电材料层和所述结构层进行光刻造型，分别生成贯穿所述压电材料层的第一凹槽和贯穿所述结构层的第二凹槽；所述第一凹槽与所述第二凹槽正对连通并共同形成结构缝隙； 在所述压电材料层远离所述基板的一侧叠设聚合物层，并使所述聚合物层完全覆盖所述第一凹槽； 将所述基板由其远离所述压电材料层的一侧向靠近所述压电材料层的方向进行刻蚀，使所述基板形成贯穿其上的空腔，所述结构层盖设于所述基板靠近所述压电材料层一侧并使得所述第二凹槽与所述空腔连通； 将预制的治具的第一部分叠设于所述聚合物层远离所述基板一侧，所述第一部分设有拱形槽，使得所述拱形槽与所述结构缝隙正对设置，再将所述治具、所述基板、所述压电材料层以及所述聚合物层共同加热至第一温度，以使所述聚合物层呈橡胶态；其中，所述第一部分还设有贯穿其上的第一通气孔，所述第一通气孔将所述拱形槽连通至外界，所述第一温度为所述聚合物层的玻璃化转变温度； 经所述空腔吹入预设的气压的气体，并控制所述空腔内的气压达到预设值，使得所述聚合物层正对所述拱形槽的部分产生形变并贴合于所述拱形槽的内壁，以形成拱形部； 保持所述气体的气压载荷，并降温至所述第一温度以下，以使所述聚合物层呈玻璃态； 停止对所述空腔内的气压控制并降低气压，拆卸所述治具，再按照预设形状进行晶圆切割，得到所述MEMS声传感器。

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