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龙图腾网获悉山东大学申请的专利基于长短期记忆网络的双探针电子密度诊断方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116193695B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211685063.6，技术领域涉及：H05H1/00；该发明授权基于长短期记忆网络的双探针电子密度诊断方法及系统是由杜清府;周钰;王进;陈佳宇;杨雪;张清和;李延辉;邢赞扬;郭新;高东兴;孙祺设计研发完成，并于2022-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于长短期记忆网络的双探针电子密度诊断方法及系统在说明书摘要公布了：本发明提出了基于长短期记忆网络的双探针电子密度诊断方法及系统，涉及等离子体领域。包括：搭建等离子体模拟真空仓，获取双探针I‑V特性曲线数据，计算同一位置三探针电子密度；构建双向长短期记忆网络模型，将双探针I‑V特性曲线数据作为输入特征、将三探针电子密度作为标签，对双向长短期记忆网络模型进行训练，得到训练好的双向长短期记忆网络模型；将待测试的双探针I‑V特性曲线数据输入到训练好的双向长短期记忆网络模型，输出诊断结果。本发明使用同一位置的双探针I‑V特性曲线数据作为特征、三探针Nee作为标签训练双向长短期记忆网络模型,解决了双探针由于只能收集等离子体中高能部分电子而导致的无法直接测量Nee的问题，且所需采集双探针I‑V特性曲线的点数较少。

本发明授权基于长短期记忆网络的双探针电子密度诊断方法及系统在权利要求书中公布了：1.基于长短期记忆网络的双探针电子密度诊断方法，其特征在于，包括以下步骤： 搭建等离子体模拟真空仓，获取双探针I-V特性曲线数据，计算同一位置三探针电子密度； 构建双向长短期记忆网络模型，将双探针I-V特性曲线数据作为输入特征、将三探针电子密度作为标签，对双向长短期记忆网络模型进行训练，得到训练好的双向长短期记忆网络模型； 将待测试的双探针I-V特性曲线数据输入到训练好的双向长短期记忆网络模型，输出诊断结果； 在等离子体模拟真空仓内设置二维电机运行平台，在二维电机运行平台上设置三根探针，真空仓内通入氩气后，控制等离子体源产生等离子体，控制电机运行平台带动探针在二维平面上移动，指定其中的两根探针为双探针，分别采集每个位置的三探针数据以及双探针的I-V特性曲线，根据采集到的三探针数据，计算三探针电子密度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人山东大学，其通讯地址为：264209 山东省威海市文化西路180号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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