重庆康佳光电技术研究院有限公司戴广超获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆康佳光电技术研究院有限公司申请的专利芯片转移方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116137309B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111358629.X，技术领域涉及：H10H29/03；该发明授权芯片转移方法是由戴广超;马非凡;曹进;张雪梅;王子川设计研发完成，并于2021-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片转移方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种芯片转移方法。该芯片转移方法包括以下步骤：提供表面形成有多个LED芯片的生长基板；将LED芯片转移至暂态基板，LED芯片远离暂态基板的一侧具有裸露的第一表面；在暂态基板上形成连接LED芯片的支撑层，并在暂态基板中形成贯穿通道；向第一表面施加作用力，以使各LED芯片通过贯穿通道转移至目标基板。采用本申请的上述芯片转移方法，利用LED芯片自身的重力实现了向目标基板的转移，能够大大提高芯片转移良率；并且，利用本申请上述芯片转移工艺，通过将贯穿通道的位置与预修复的目标位置对应，通过向LED芯片施加作用力，还可以实现目标位置处缺失芯片的修复。
本发明授权芯片转移方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片转移方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供表面形成有多个LED芯片的生长基板； 将所述LED芯片转移至暂态基板，剥离所述生长基板，所述LED芯片远离所述暂态基板的一侧具有裸露的第一表面； 在所述暂态基板上形成连接所述LED芯片的支撑层，所述LED芯片具有环绕所述第一表面的第一侧面，所述支撑层连接部分所述第一表面和或至少部分所述第一侧面，以使至少部分所述第一表面裸露； 并在所述暂态基板中形成贯穿通道，以在所述暂态基板中形成与所述LED芯片一一对应的多个所述贯穿通道，在平行于所述暂态基板的方向上，各所述贯穿通道的最小截面尺寸大于各所述LED芯片的最大截面尺寸； 向所述第一表面施加作用力，以使各所述LED芯片通过所述贯穿通道转移至目标基板。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人重庆康佳光电技术研究院有限公司，其通讯地址为：402760 重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号(1号厂房)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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