湖南大学;高斯贝尔数码科技股份有限公司杨斌获国家专利权
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龙图腾网获悉湖南大学;高斯贝尔数码科技股份有限公司申请的专利一种氮化铝薄膜及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116121699B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211617733.0，技术领域涉及：C23C14/06；该发明授权一种氮化铝薄膜及其制备方法和应用是由杨斌;杨雪倩;陈功田设计研发完成，并于2022-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氮化铝薄膜及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种氮化铝薄膜，所述氮化铝薄膜包括多晶氮化铝；所述多晶氮化铝掺杂有6.5‑7.5at.％的钽；所述多晶氮化铝的晶面取向为002；所述多晶氮化铝的晶胞参数中的c值为0.512nm。本发明还提供了一种所述的氮化铝薄膜的制备方法，具体包括在常温下采用AlTa合金靶于惰性气体与氮气的混合气氛下向基板进行磁控溅射，从而得到所述氮化铝薄膜。本发明还提供了一种所述氮化铝薄膜在薄膜体声波谐振器领域的应用。
本发明授权一种氮化铝薄膜及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种氮化铝薄膜的制备方法，其特征在于： 所述氮化铝薄膜的制备方法包括在常温下采用AlTa合金靶于惰性气体与氮气的混合气氛下向基板进行磁控溅射的步骤； 所述磁控溅射采用的直流功率为190-210W； 所述AlTa合金靶中Al原子与Ta原子的原子百分比为92.5-93.5：6.5-7.5； 所述氮化铝薄膜包括多晶氮化铝； 所述多晶氮化铝掺杂有6.5-7.5at.％的钽； 所述多晶氮化铝的晶面取向为002； 所述多晶氮化铝的晶胞参数中的c值为0.512nm； 所述氮化铝薄膜压电系数为15.8-16.1pmV。
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