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龙图腾网获悉浙江驰拓科技有限公司申请的专利MRAM芯片存储阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116092545B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111309988.6，技术领域涉及：G11C11/16；该发明授权MRAM芯片存储阵列是由何世坤;郑泽杰;王跃锦;侯嘉设计研发完成，并于2021-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本MRAM芯片存储阵列在说明书摘要公布了：本发明提供一种MRAM芯片存储阵列，包括：呈阵列形式排布的多个存储位元，每个存储位元包括存取晶体管、磁性隧道结、顶部互连结构以及底部互连结构，磁性隧道结通过顶部互连结构与对应位线连接，磁性隧道结通过底部互连结构与存取晶体管连接；其中，在连接于同一条位线的多个存储位元中，各存储位元具有不同的顶部互连结构和或不同的底部互连结构，以从各磁性隧道结顶部和或底部引入不同的补偿电阻。本发明通过引入补偿电阻，能够稳定磁性隧道结两端分压。

本发明授权MRAM芯片存储阵列在权利要求书中公布了：1.一种MRAM芯片存储阵列，其特征在于，包括： 呈阵列形式排布的多个存储位元，每个存储位元包括存取晶体管、磁性隧道结、顶部互连结构以及底部互连结构，所述磁性隧道结通过所述顶部互连结构与对应位线连接，所述磁性隧道结通过所述底部互连结构与所述存取晶体管连接； 其中，在连接于同一条位线的多个存储位元中，各存储位元具有不同的顶部互连结构和或不同的底部互连结构，以从各磁性隧道结顶部和或底部引入不同的补偿电阻，各存储位元引入的补偿电阻与各存储位元到对应位线电源端之间的位线寄生电阻之和相等或接近相等； 连接于同一条位线的各存储位元具有不同的顶部互连结构，包括以下实现方式：所述顶部互连结构包括顶部电极以及对应的顶部电极通孔，各存储位元的顶部电极通孔相对于各自对应的磁性隧道结，具有不同的偏移距离，其中，存储位元到位线电源端距离越近，则所述偏移距离越大，引入的补偿电阻越大； 连接于同一条位线的各存储位元具有不同的底部互连结构，包括以下实现方式：所述底部互连结构包括底部电极以及对应的底部电极通孔，各存储位元的底部电极通孔相对于各自对应的磁性隧道结，具有不同的偏移距离，其中，存储位元到位线电源端距离越近，则所述偏移距离越大，引入的补偿电阻越大。

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