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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法、测试系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116072563B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111275407.1，技术领域涉及：H10P74/20；该发明授权半导体结构及其制备方法、测试系统是由文继伟设计研发完成，并于2021-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制备方法、测试系统在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体领域，特别涉及一种半导体结构及其制备方法、测试系统，半导体结构包括：系统板；封装结构，封装结构包括封装层、封装基板以及位于封装层中的裸片，封装层位于封装基板远离系统板的表面；电连接结构，部分电连接结构位于封装结构中，电连接结构电连接裸片与系统板；导电结构，导电结构位于封装基板表面，导电结构包括被封装层覆盖且与电连接结构电连接的第一部分、以及未被封装层覆盖且用于连接测试装置的第二部分，第二部分包括与第一部分连接的连接段、用于连接测试装置的接触段、将连接段连接至接触段的连接器件，连接器件可拆卸地连接在连接段和接触段间。本公开实施例有利于改善对半导体结构进行信号测试的测试质量。

本发明授权半导体结构及其制备方法、测试系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 系统板； 封装结构，所述封装结构设置在所述系统板的表面，所述封装结构包括裸片、封装层以及封装基板，所述封装层位于所述封装基板远离所述系统板的表面，所述封装层将所述裸片封装在内； 电连接结构，部分所述电连接结构位于所述封装结构中，所述电连接结构分别电连接所述裸片与所述系统板； 导电结构，所述导电结构位于所述封装基板远离所述系统板的表面，所述封装层覆盖所述导电结构的一部分，所述导电结构包括被所述封装层覆盖且与所述电连接结构电连接的第一部分、以及未被所述封装层覆盖且用于连接测试装置的第二部分，所述第二部分包括与所述第一部分连接的连接段、与所述连接段间隔设置并用于连接测试装置的接触段、以及将所述连接段连接至所述接触段的连接器件，所述连接器件可拆卸地连接在所述连接段和所述接触段之间； 在对所述裸片完成测试后，去掉所述连接器件，以断开所述导电结构与所述电连接结构的连接； 所述连接器件为外接电阻，所述外接电阻的阻值为零欧。

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