联华电子股份有限公司林宗翰获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利横向扩散金属氧化物半导体元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116031299B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111263331.0，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权横向扩散金属氧化物半导体元件是由林宗翰设计研发完成，并于2021-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本横向扩散金属氧化物半导体元件在说明书摘要公布了：本发明公开一种横向扩散金属氧化物半导体元件，其主要包含一第一鳍状结构设于一基底上，一第二鳍状结构设于该第一鳍状结构旁，一浅沟隔离设于该第一鳍状结构以及该第二鳍状结构之间，一第一栅极结构设于该第一鳍状结构上，一第二栅极结构设于该第二鳍状结构上以及一气孔设于该第一栅极结构以及该第二栅极结构之间。
本发明授权横向扩散金属氧化物半导体元件在权利要求书中公布了：1.一种横向扩散金属氧化物半导体元件，其特征在于，包含： 第一鳍状结构，设于基底上且沿一方向延伸； 第二鳍状结构，设于该第一鳍状结构旁且沿该方向延伸，其中该第一鳍状结构和该第二鳍状结构沿该方向彼此重叠； 浅沟隔离，沿该方向设于该第一鳍状结构以及该第二鳍状结构之间； 第一栅极结构，设于该第一鳍状结构上； 第二栅极结构，设于该第二鳍状结构上；以及 气孔，沿该方向设于该第一栅极结构以及该第二栅极结构之间，且该气孔设于该浅沟隔离正上方。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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