深圳通感微电子有限公司张浩获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳通感微电子有限公司申请的专利湿度传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116008355B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211546857.4，技术领域涉及：G01N27/12；该发明授权湿度传感器及其制备方法是由张浩;吴一帆设计研发完成，并于2022-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本湿度传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种湿度传感器及其制备方法，湿度传感器包括绝缘衬底、设置在所述绝缘衬底上的电极层、二维过渡金属硫化层以及二维过渡金属氧化层；所述二维过渡金属氧化层复合在所述二维过渡金属硫化层上，两者形成复合结构；并且，所述二维过渡金属氧化层和二维过渡金属硫化层之间具有能够引起电荷转移的费米能级差异，从而在所述复合结构界面形成空间电荷区与势垒。本发明的湿度传感器结合二维过渡金属氧化层成熟的湿敏特性以及二维过渡金属硫化层比表面积大、敏感性高、性能稳定等优点，形成的湿度传感器具有较高的灵敏度、稳定性和耐腐蚀性，同时也提高了工作温度、湿度范围。
本发明授权湿度传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种湿度传感器，其特征在于，所述湿度传感器包括绝缘衬底、设置在所述绝缘衬底上的电极层、二维过渡金属硫化层以及二维过渡金属氧化层； 所述二维过渡金属氧化层复合在所述二维过渡金属硫化层上，两者形成复合结构；并且，所述二维过渡金属氧化层和二维过渡金属硫化层之间具有能够引起电荷转移的费米能级差异，从而在所述复合结构界面形成空间电荷区与势垒； 所述二维过渡金属硫化层为MoS2、WS2、WSe2中的至少一种；所述二维过渡金属氧化层为MoO3、WO3中的至少一种。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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