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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115996562B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111208520.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其形成方法是由刘翔设计研发完成，并于2021-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括多个沿第一方向间隔排布的有源区和第一隔离结构；栅极结构，位于所述有源区和所述第一隔离结构中，且所述有源区的顶表面超出于所述栅极结构的顶表面；具有预设高度的第二隔离结构，位于所述栅极结构的表面，且所述第二隔离结构的顶表面与所述有源区的顶表面平齐。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，所述方法包括； 提供半导体衬底；提供的所述半导体衬底包括形成的多个沿第一方向间隔排布的有源区和第一初始隔离结构； 在所述第一初始隔离结构中形成初始栅极结构； 刻蚀所述第一初始隔离结构和所述初始栅极结构，形成第一隔离结构、栅极结构和具有预设高度的第二隔离结构； 在形成所述第一隔离结构、所述栅极结构和所述第二隔离结构之后，所述方法还包括： 在所述第一方向上的任意相邻两个第二隔离结构之间，形成所述有源区的外延结构； 所述第一初始隔离结构通过以下步骤形成： 刻蚀所述半导体衬底形成多个沿所述第一方向间隔排布的隔离沟槽； 在所述隔离沟槽的内壁依次形成第一隔离层和第二隔离层，以形成所述第一初始隔离结构；其中，所述第二隔离层充满所述隔离沟槽； 所述在所述第一初始隔离结构中形成初始栅极结构，包括： 沿第二方向，刻蚀部分所述第二隔离层，形成第一栅极沟槽和第二刻蚀隔离层；其中，所述第二方向为所述半导体衬底的厚度方向，所述第二方向垂直于所述第一方向； 在所述第一栅极沟槽的内壁形成第一栅极介质层； 在形成有所述第一栅极介质层的第一栅极沟槽的底部形成第一栅极金属层； 在所述第一栅极金属层的表面形成第一栅极绝缘层； 所述初始栅极结构还形成于所述有源区中； 位于所述有源区中的初始栅极结构通过以下步骤形成： 沿所述第二方向，依次刻蚀所述第一隔离层和所述有源区，形成第二栅极沟槽； 在所述第二栅极沟槽的内壁形成第二栅极介质层； 在形成有所述第二栅极介质层的第二栅极沟槽中形成第二栅极金属层； 在所述第二栅极金属层的表面形成第二栅极绝缘层； 其中，所述第二栅极沟槽在所述第二方向上的尺寸小于所述第一栅极沟槽在所述第二方向上的尺寸，且所述第二栅极金属层在所述第二方向上的尺寸小于所述第一栅极金属层在所述第二方向上的尺寸； 所述第二隔离结构通过以下方式形成： 沿所述第二方向，同时刻蚀去除具有预设高度的第一隔离层、第一栅极介质层和第二栅极介质层，暴露出具有所述预设高度的第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层，形成所述第二隔离结构和第一刻蚀隔离层； 其中，所述预设高度小于所述第一栅极绝缘层在所述第二方向上的初始高度，且所述预设高度包括5纳米至20纳米。

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