中芯越州集成电路制造(绍兴)有限公司徐承福获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯越州集成电路制造(绍兴)有限公司申请的专利碳化硅MOS器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115995491B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211524494.4，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权碳化硅MOS器件及其制造方法是由徐承福;王云飞;罗顶;韩玉亮设计研发完成，并于2022-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本碳化硅MOS器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种碳化硅MOS器件及其制造方法，沟槽型栅极结构的第二侧的晶面迁移率高于沟槽型栅极结构的第一侧的晶面迁移率，与此相对应的，第二阱区的深度较第一阱区的深度深和或第二阱区的掺杂浓度较第一阱区的掺杂浓度浓，所述第二阱区位于所述沟槽型栅极结构的第二侧的所述碳化硅外延层中，所述第一阱区位于所述沟槽型栅极结构的第一侧的所述碳化硅外延层中。由此，能够平衡所述沟槽型栅极结构两侧的晶面迁移率差异引起的栅极开启的一致性差异，从而提高了栅极开启的一致性，进而提高了碳化硅MOS器件的性能与可靠性。
本发明授权碳化硅MOS器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅MOS器件，其特征在于，所述碳化硅MOS器件包括： 碳化硅衬底以及形成于所述碳化硅衬底上的碳化硅外延层，所述碳化硅衬底和所述碳化硅外延层均为第一导电类型； 沟槽型栅极结构，所述沟槽型栅极结构位于所述碳化硅外延层中，所述沟槽型栅极结构的第二侧的晶面迁移率高于所述沟槽型栅极结构的第一侧的晶面迁移率； 第一阱区和第二阱区，所述第一阱区和所述第二阱区均为第二导电类型，所述第二阱区的深度较所述第一阱区的深度深和或所述第二阱区的掺杂浓度较所述第一阱区的掺杂浓度浓，所述第一阱区位于所述沟槽型栅极结构的第一侧的所述碳化硅外延层中，所述第二阱区位于所述沟槽型栅极结构的第二侧的所述碳化硅外延层中；以及， 源区，所述源区为第一导电类型，所述源区位于所述第一阱区和所述第二阱区中。
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