华灿光电(苏州)有限公司徐盛海获国家专利权
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龙图腾网获悉华灿光电(苏州)有限公司申请的专利紫外发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115986026B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211713671.3，技术领域涉及：H10H20/819；该发明授权紫外发光二极管及其制备方法是由徐盛海;高艳龙;尹灵峰;刘源设计研发完成，并于2022-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本紫外发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种紫外发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：衬底、外延层、第一欧姆接触层和第一电极；所述外延层层叠在所述衬底上，所述外延层包括依次层叠的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层，所述第二半导体层的表面具有露出所述第一半导体层的凹槽；所述第一欧姆接触层和所述第一电极均位于所述凹槽内，所述第一欧姆接触层部分区域镂空，所述第一欧姆接触层和所述第一电极依次层叠在所述第一半导体层的表面，所述第一电极为反光电极。本公开能提升发光二极管的发光效果。
本发明授权紫外发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：衬底10、外延层20、第一欧姆接触层41和第一电极31； 所述外延层20层叠在所述衬底10上，所述外延层20包括依次层叠的第一半导体层21、多量子阱层22和第二半导体层23，所述第二半导体层23的表面具有露出所述第一半导体层21的凹槽24； 所述第一欧姆接触层41和所述第一电极31均位于所述凹槽24内，所述第一欧姆接触层41部分区域镂空，所述第一欧姆接触层41为合金层，所述第一欧姆接触层41包括依次层叠在所述第一半导体层21的表面的第一金属层、第二金属层、第三金属层和第四金属层，所述第一金属层包括Cr层或Ti层，所述第二金属层包括Al层，所述第三金属层包括Ti层或Ni层，所述第四金属层包括Au层，所述第一欧姆接触层41和所述第一电极31依次层叠在所述第一半导体层21的表面，所述第一电极31为反光电极。
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