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龙图腾网获悉浙江驰拓科技有限公司申请的专利多阻态磁性存储单元及磁性存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115985361B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111200632.9，技术领域涉及：G11C11/15；该发明授权多阻态磁性存储单元及磁性存储器是由李州;孟皓;迟克群;石以诺设计研发完成，并于2021-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本多阻态磁性存储单元及磁性存储器在说明书摘要公布了：本发明提供一种多阻态磁性存储单元及磁性存储器。该多阻态磁性存储单元包括：分开设置的两个自旋轨道矩产生层，在每个自旋轨道矩产生层上分别有一个磁性隧道结，两个磁性隧道结各自的自由层靠近对应的自旋轨道矩产生层，并在参考层侧通过可导电的连接层进行连接。从第一自旋轨道矩产生层和第二自旋轨道矩产生层分别引出一个端口。本发明的多阻态磁性存储单元为双端口结构，利用STT结合SOT，实现多态存储。

本发明授权多阻态磁性存储单元及磁性存储器在权利要求书中公布了：1.一种多阻态磁性存储单元，其特征在于，包括： 在同一平面上分开设置的第一自旋轨道矩产生层和第二自旋轨道矩产生层； 第一磁性隧道结，设置于所述第一自旋轨道矩产生层一侧表面，包括层叠的第一自由层、第一势垒层和第一参考层，所述第一自由层靠近所述第一自旋轨道矩产生层； 第二磁性隧道结，设置于所述第二自旋轨道矩产生层一侧表面并与所述第一磁性隧道结保持在同一侧，包括层叠的第二自由层、第二势垒层和第二参考层，所述第二自由层靠近所述第二自旋轨道矩产生层； 可导电的连接层，靠近所述第一参考层和所述第二参考层设置，用于将所述第一磁性隧道结和所述第二磁性隧道结从参考层侧进行连接； 以及，从所述第一自旋轨道矩产生层一端引出的第一端口和从所述第二自旋轨道矩产生层的一端引出的第二端口，所述第一端口和所述第二端口用于连接外部电压，以便形成依次流过所述第一自旋轨道矩产生层、所述第一磁性隧道结、所述连接层、所述第二磁性隧道结和所述第二自旋轨道矩产生层的电流； 所述多组态磁性存储单元可实现三个阻态，分别对应于I＜I2时的阻态，I2≤I＜I1时的阻态，I≥I1时的阻态，其中I表示通入的电流，I1表示第一磁性隧道结的第一自由层翻转的临界电流，I2表示第二磁性隧道结的第二自由层翻转的临界电流，I2I1。

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