重庆邮电大学王冠宇获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆邮电大学申请的专利一种硅基硅锗异质结双极晶体管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115939198B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310073716.3，技术领域涉及：H10D10/80；该发明授权一种硅基硅锗异质结双极晶体管及其制造方法是由王冠宇;凌鹏;孔森林;向盈聪;周春宇;王巍设计研发完成，并于2023-02-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅基硅锗异质结双极晶体管及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种硅基硅锗异质结双极晶体管及其制造方法，属于电子技术领域。在衬底上离子注入形成N+BL埋层；在N+BL埋层上形成四氮化三硅应力层；离子注入形成N‑集电区；通过氧化形成二氧化硅掩蔽层，刻蚀出集电区窗口后进行硼离子注入，并执行快速退火操作以消除晶格损伤；离子注入形成N+BL埋层连通区；在应变基区选择性外延Si1‑x1‑xGexx基区；在Si1‑x1‑xGexx基区上方淀积硅帽层；淀积N型多晶硅作为发射极；刻蚀Si并淀积SiGe材料与四氮化三硅应力层形成集电区应力区；光刻集电极、发射极和基极以外的金属，形成电极引线。本发明能够增强载流子的迁移率、减小载流子总渡越时间，提高晶体管工作速度。
本发明授权一种硅基硅锗异质结双极晶体管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种硅基硅锗异质结双极晶体管，其特征在于：该晶体管包括： N型硅基衬底，为100晶面； N+BL埋层，用于减小串联电阻； N-集电区； 四氮化三硅应力层，作为集电区应力源； Si1-xGex应力区，与四氮化三硅应力层形成集电区应力区； 在所述Si1-xGex应力区上形成的Si1-xGex外延基区； Si1-xGex基区，其中Ge组分为阶梯型分布； Si1-xGex基区上淀积单晶硅薄层形成的硅帽层； 多晶硅发射区，通过在硅帽层上淀积N型多晶硅作为发射极； 四氮化三硅与二氧化硅应力隔层，为发射区提供应力源； 所述N型硅基衬底、N+BL埋层、N-集电区、Si1-xGex基区、硅帽层和多晶硅发射区从下至上依次设置；所述四氮化三硅应力层位于N+BL埋层与Si1-xGex应力区之间，且与N-集电区接触；所述四氮化三硅与二氧化硅应力隔层设置在发射区两侧。
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