中国科学院长春光学精密机械与物理研究所黎大兵获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院长春光学精密机械与物理研究所申请的专利半导体外延结构及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115911203B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211646640.0，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权半导体外延结构及其制备方法和应用是由黎大兵;蒋年磊;陈洋;孙晓娟;蒋科;贲建伟设计研发完成，并于2022-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体外延结构及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体外延结构及其制备方法和应用，属于半导体光电子器件技术领域。本发明基于双层金属微纳和石墨烯复合结构的半导体外延结构，自下而上依次包括衬底，AlN层，N‑AlGaN层，AlGaN多量子阱，P‑AlGaN电子阻挡层，P‑AlGaN层，Al金属微纳结构层，P‑GaN层，Al金属周期性结构层和石墨烯层。本发明通过在P‑GaN层的下方制备Al金属微纳结构层，在P‑GaN层的上方制备Al金属周期性结构层和石墨烯层复合微纳结构，利用表面等离激元与激发态之间的共振耦合效应，解决等离激元集肤深度不足而造成的无法与激发态能量匹配的问题，并大幅增强光提取效率。
本发明授权半导体外延结构及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种半导体外延结构，其特征在于，自下而上依次包括衬底，AlN层，N-AlGaN层，AlGaN多量子阱，P-AlGaN电子阻挡层，P-AlGaN层，Al金属微纳结构层，P-GaN层，Al金属周期性结构层和石墨烯层；其中，所述Al金属微纳结构为Al金属纳米粒子或Al金属纳米结构阵列；所述周期性结构为光栅结构、三角锥阵列、圆柱阵列、三棱柱阵列、圆环阵列中的任意一种。
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