买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利减少主动区消蚀浅沟渠隔离结构形成方法及其半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115910909B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111339235.X，技术领域涉及：H10W10/17；该发明授权减少主动区消蚀浅沟渠隔离结构形成方法及其半导体结构是由庄达人;孙志忠设计研发完成，并于2021-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本减少主动区消蚀浅沟渠隔离结构形成方法及其半导体结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种减少主动区消蚀浅沟渠隔离结构形成方法及其半导体结构，以两个单独的浅沟渠隔离刻蚀工艺形成浅沟渠隔离结构。第一STI工艺沿着第一维度形成具有一个或多个尺寸的第一沟渠于硅基板中。在第一热氧化工艺形成围绕第一沟渠的第一衬垫氧化层后，以第一介电材料填充第一沟渠。第二STI工艺沿着第二维度形成具有一个或多个尺寸的第二沟渠，以定义被第一介电材料填充的第一沟渠和第二沟渠隔开的主动区域。在第二热氧化工艺形成围绕第二沟渠的第二衬垫氧化层后，以第二介电材料填充第二沟渠。通过两个单独的STI刻蚀工艺减少第一热氧化和第二热氧化工艺造成的主动区域消蚀。

本发明授权减少主动区消蚀浅沟渠隔离结构形成方法及其半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种减少主动区消蚀浅沟渠隔离结构形成方法，其特征在于，包含： 提供一硅基板； 形成一垫氧化层于该硅基板的一顶表面； 形成一氮化硅层于该垫氧化层上方； 形成一第一图案于该氮化硅层上方，其中该第一图案由沿着一第一维度成行排列的线条组成，或者该第一图案由一第一子图案和一第二子图案组成，其中该第一子图案由沿着一第一维度成行排列的线条组成，并且该第二子图案包含沿着该第一维度成行排列的一个或多个尺寸的开口； 以该第一图案作为一掩膜，并进行一第一沟渠刻蚀工艺，以沿着该第一维度形成多个第一沟渠，其中该多个第一沟渠具有一个或多个尺寸； 移除该第一图案； 进行一第一热氧化工艺，以在该多个第一沟渠的侧壁和底部形成一第一衬垫氧化层； 以一第一介电材料填充该多个第一沟渠； 形成具有多个主动区域定义部分的一第二图案于该硅基板，其中该多个主动区域定义部分具有一个或多个尺寸； 以该第二图案作为一掩膜，并进行一第二沟渠刻蚀工艺，以形成在一第二维度的多个第二沟渠，以定义该硅基板的多个主动区域，并且该多个主动区域被该第一介电材料填充的该多个第一沟渠和该多个第二沟渠彼此隔开，其中该多个主动区域具有一个或多个尺寸，而该多个第二沟渠具有一个或多个尺寸； 进行一第二热氧化工艺，以在该多个第二沟渠的侧壁和底部形成一第二衬垫氧化层；以及 以一第二介电材料填充该多个第二沟渠。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南亚科技股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新北市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。