中环领先半导体材料有限公司马雄获国家专利权
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龙图腾网获悉中环领先半导体材料有限公司申请的专利一种腐蚀改善形貌的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115910765B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211360137.9,技术领域涉及:H10P50/64;该发明授权一种腐蚀改善形貌的方法是由马雄;姚科新;黄春峰;曹锦伟;王彦君;孙晨光;韩少锋;李仕权设计研发完成,并于2022-11-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种腐蚀改善形貌的方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种腐蚀改善形貌的方法,其改善方法包括以下步骤:S1、首先在腐蚀前检查设备状态,保证无异常后进行工艺调节,采用机械化学腐蚀工艺对半导体硅片进行化学减薄,配备好工艺中需要使用的辅料,通过调整腐蚀机机械臂转速、酸槽内氮气路径、腐蚀冰机温度和氮气流量等工艺参数;S2、然后通过调节药液浓度及温度大小决定腐蚀的去除速率,进而影响到最终腐蚀的腐蚀形貌,保证酸槽内移动氮气管位置设定与实际移动位置相符。本发明通过调节混酸浓度、氮气管移动位置及氮气流量等方式改善腐蚀加工过程中硅片表面腐蚀均匀性,达到改善硅片形貌的目的,以此来更好的提升制程能力,降低产品参数不良率。
本发明授权一种腐蚀改善形貌的方法在权利要求书中公布了:1.一种腐蚀改善形貌的方法,其特征在于:其改善方法包括以下步骤: S1、首先在腐蚀前检查设备状态,保证无异常后进行工艺调节,采用机械化学腐蚀工艺对半导体硅片进行化学减薄,配备好工艺中需要使用的辅料,工艺中需要使用的辅料分别为氢氟酸、硝酸和醋酸,且辅料比例分别为氢氟酸、硝酸、醋酸配比为1.0:3.4:1.6,调整腐蚀机机械臂转速、酸槽内氮气路径、腐蚀冰机温度和氮气流量工艺参数; S2、然后通过调节药液浓度及温度大小决定腐蚀的去除速率,进而影响到最终腐蚀的腐蚀形貌,通过校准氮气流量,保证氮气流量在设定的相应值,通过调整酸槽内移动氮气管路径,保证酸槽内移动氮气管位置设定与实际移动位置相符,减少因氮气管位置导致的腐蚀形貌异常情况,防止腐蚀过程中因为氮气流量异常造成的实验结果异常,校准混酸浓度计和冷却水流量,确保加工过程中产品的去除速率和腐蚀温度稳定,工艺调节完毕,再次对设备进行点检,保证无异常后开始加工; S3、最后把硅片经倒片机倒入滚筒,通过螺帽进行固定,把滚筒经螺帽固定在机械臂上,通过机械臂带动滚筒进入酸槽,通过电机带动滚轴使得硅片在酸槽内旋转腐蚀加工,腐蚀结束后,机械臂带动滚筒进入水洗槽,进行冲洗。
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