联合微电子中心有限责任公司李果获国家专利权
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龙图腾网获悉联合微电子中心有限责任公司申请的专利一种硅基应变半导体结构的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115881644B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211525726.8，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权一种硅基应变半导体结构的制作方法是由李果;杜明峰;李杰;王学毅设计研发完成，并于2022-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅基应变半导体结构的制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种硅基应变半导体结构的制作方法，包括以下步骤：提供一半导体层，半导体层包括衬底层及位于衬底层上并在水平方向上间隔设置的多个栅极结构；以栅极结构为掩膜对衬底层进行刻蚀，以得到沟槽于衬底层中，沟槽在水平方向上横跨于相邻两个栅极结构之间，沟槽包括依次相接的多个倾斜内壁，相接的两倾斜内壁之间形成凹角，其中，至少一凹角处残留有形成沟槽时产生的副产物；基于沟槽进行同位刻蚀以去除所述副产物；在沟槽内外延生长得到外延层。本发明的制作方法通过在刻蚀形成沟槽与在沟槽内外延生长之间增加一同位刻蚀步骤，避免外延生长时因沟槽中残留的副产物而产生缺陷并对器件性能造成不良影响，提高器件的产品良率及性能稳定性。
本发明授权一种硅基应变半导体结构的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种硅基应变半导体结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一半导体层，所述半导体层包括衬底层及位于所述衬底层上并在水平方向上间隔设置的多个栅极结构； 以所述栅极结构为掩膜对所述衬底层进行刻蚀，以得到沟槽于所述衬底层中，所述沟槽在水平方向上横跨于相邻两个所述栅极结构之间，所述沟槽包括依次相接的多个倾斜内壁，相接的两所述倾斜内壁之间形成凹角，其中，至少一凹角处残留有形成所述沟槽时产生的副产物； 基于所述沟槽进行同位刻蚀以去除所述副产物，进行所述同位刻蚀时采用的刻蚀气体包括GeH4及HCl，采用催化刻蚀法，选择性去除所述副产物并保持所述沟槽的形貌； 在所述沟槽内外延生长得到外延层。
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