联华电子股份有限公司邱劲砚获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利半导体元件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115881538B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111134660.5，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体元件及其制作方法是由邱劲砚;蔡纬撰;易延才;柯贤文设计研发完成，并于2021-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，主要先形成一栅极结构于一基底上，然后形成一源极漏极区域于该栅极结构两侧，形成一外延层于源极漏极区域上，形成一层间介电层于栅极结构上，形成一接触洞于层间介电层内并暴露出该外延层，形成一低应力金属层于该接触洞内，形成一阻障层于该低应力金属层上，再进行一退火制作工艺以形成第一硅化金属层与第二硅化金属层。
本发明授权半导体元件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含： 形成栅极结构于基底上； 形成源极漏极区域于该栅极结构两侧； 形成外延层于该源极漏极区域上； 形成层间介电层于该栅极结构上； 形成接触洞于该层间介电层内并暴露出该外延层； 形成低应力金属层于该接触洞内； 形成阻障层于该低应力金属层上；以及 进行退火制作工艺，使得外延层与低应力金属层反应依序于外延层表面以及未反应的阻障层之间由下至上形成包含锗化硅的界面层、包含金属硅锗化物的第一硅化金属层和第二硅化金属层，并使得该界面层的锗浓度小于该第一硅化金属层的锗浓度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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